中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司成國良獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113540025B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010291431.3，技術領域涉及：H01L23/528；該發明授權半導體結構及其形成方法是由成國良;張浩;郭雯;段超;許增升設計研發完成，并于2020-04-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供第一導電層；在所述第一導電層上形成介質層，所述介質層內具有開口，且所述開口暴露出所述第一導電層表面；在所述開口內形成第二導電層，所述第二導電層頂部表面齊平或者低于所述介質層頂部表面；在所述開口側壁表面形成縫隙層，且所述縫隙層位于所述介質層和第二導電層之間。所述方法形成的半導體結構的性能較好。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一導電層； 在所述第一導電層上形成介質層，所述介質層內具有開口，且所述開口暴露出所述第一導電層表面； 在所述開口內形成第二導電層，所述第二導電層頂部表面低于所述介質層頂部表面； 在所述開口側壁表面形成縫隙層，且所述縫隙層位于所述介質層和第二導電層之間； 所述縫隙層的形成方法包括：在所述開口側壁表面、介質層頂部表面和第二導電層的頂部表面形成縫隙材料層，且所述縫隙材料層位于第二導電層和介質層之間； 所述縫隙材料層的形成方法包括：在所述開口側壁表面、介質層頂部表面和第二導電層的頂部表面形成初始縫隙材料層；對所述初始縫隙材料層進行改性處理，使所述初始縫隙材料層形成所述縫隙材料層；所述改性處理包括置換反應； 對所述初始縫隙材料層進行改性處理的過程中，在所述縫隙材料層的表面形成第三導電材料層； 采用化學機械研磨工藝，平坦化所述縫隙材料層和第三導電材料層，直至暴露出介質層頂部表面，使所述第三導電材料層形成第三導電層，使所述縫隙材料層形成縫隙層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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