中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司吳玉萍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利互連結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113496943B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010257742.8，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權互連結構及其形成方法是由吳玉萍;邵群設計研發完成，并于2020-04-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本互連結構及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種互連結構及其形成方法，所述方法包括：提供襯底，所述襯底上形成有第一介質層，所述第一介質層中形成有貫穿所述第一介質層的開口；在所述開口中形成第一導電層；在形成所述第一導電層之后，回刻蝕所述第一介質層的一部分以暴露所述第一導電層的頂部側壁；在回刻蝕所述第一介質層之后，在所述第一介質層的表面以及暴露出的所述第一導電層的表面形成第二介質保護層；以及在形成所述第二介質保護層之后，進行平坦化處理直至暴露出所述第一導電層的頂部表面。本申請所公開的互連結構及其形成方法提高了互連結構的性能。
本發明授權互連結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種互連結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底上形成有第一介質層，所述第一介質層中形成有貫穿所述第一介質層的開口； 在所述開口中形成第一導電層； 在形成所述第一導電層之后，回刻蝕所述第一介質層的一部分以暴露所述第一導電層的頂部側壁，在回刻蝕所述第一介質層的一部分的過程中，對所述第一介質層和所述第一導電層的刻蝕選擇比大于30：1，所述第一導電層的側壁也會被刻蝕以去除一部分，使得所述第一導電層具有階梯狀側壁表面； 在回刻蝕所述第一介質層之后，在所述第一介質層的表面以及暴露出的所述第一導電層的表面形成第二介質保護層；以及 在形成所述第二介質保護層之后，在所述第二介質保護層的表面形成犧牲層，犧牲層的厚度大于在所述回刻蝕中去除的第一介質層的厚度的兩倍；進行平坦化處理直至暴露出所述第一導電層的頂部表面；其中，第一介質層和第二介質保護層的材料相同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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