株式會(huì)社電裝齋藤順獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會(huì)社電裝申請(qǐng)的專利開關(guān)元件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114556588B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:201980101194.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D30/66;該發(fā)明授權(quán)開關(guān)元件是由齋藤順;片岡惠太;山下侑佑;渡邊行彥;朽木克博;浦上泰設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2019-10-11向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本開關(guān)元件在說明書摘要公布了:一種開關(guān)元件,具有溝槽型的多個(gè)柵極電極。半導(dǎo)體基板具有:n型的漂移區(qū)域,在各所述溝槽的底面以及側(cè)面與柵極絕緣膜相接;p型的體區(qū)域,在所述漂移區(qū)域的上側(cè)與所述柵極絕緣膜相接;p型的多個(gè)底部區(qū)域,配置于所述溝槽的正下方并且是從所述柵極絕緣膜離開的位置;以及p型的連接區(qū)域,將各所述底部區(qū)域與所述體區(qū)域連接。使相鄰的所述底部區(qū)域之間的間隔耗盡化所需的耗盡層伸展距離的一半比使體區(qū)域與溝槽的下端之間的間隔耗盡化所需的耗盡層伸展距離以及使底部區(qū)域與溝槽的下端之間的間隔耗盡化所需的耗盡層伸展距離長(zhǎng)。
本發(fā)明授權(quán)開關(guān)元件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種開關(guān)元件,其特征在于,具有: 半導(dǎo)體基板; 多個(gè)溝槽,設(shè)于所述半導(dǎo)體基板的上表面; 多個(gè)柵極絕緣膜,分別覆蓋對(duì)應(yīng)的所述溝槽的內(nèi)表面;以及 多個(gè)柵極電極,分別配置于對(duì)應(yīng)的所述溝槽內(nèi),并且通過對(duì)應(yīng)的所述柵極絕緣膜與所述半導(dǎo)體基板絕緣; 所述半導(dǎo)體基板具有: n型的漂移區(qū)域,在各所述溝槽的底面以及側(cè)面與所述柵極絕緣膜相接; p型的體區(qū)域,在所述漂移區(qū)域的上側(cè)在各所述溝槽的所述側(cè)面與所述柵極絕緣膜相接; n型的源極區(qū)域,在所述體區(qū)域的上側(cè)在各所述溝槽的所述側(cè)面與所述柵極絕緣膜相接,并且通過所述體區(qū)域從所述漂移區(qū)域分離; p型的多個(gè)底部區(qū)域,分別配置于對(duì)應(yīng)的所述溝槽的正下方、并且是從所述柵極絕緣膜離開的位置;以及 p型的連接區(qū)域,將各所述底部區(qū)域與所述體區(qū)域連接; 各所述溝槽的下端的深度與所述體區(qū)域之間的間隔為距離L1, 各所述溝槽的下端的深度與所述體區(qū)域之間的范圍內(nèi)的所述漂移區(qū)域的n型雜質(zhì)濃度為濃度N1, 各所述溝槽的下端的深度與各所述底部區(qū)域的上端的深度之間的間隔為距離L2, 各所述溝槽的下端的深度與各所述底部區(qū)域的上端的深度之間的范圍內(nèi)的所述漂移區(qū)域的n型雜質(zhì)濃度為濃度N2, 相鄰的所述底部區(qū)域之間的間隔為距離L3, 相鄰的所述底部區(qū)域之間的范圍內(nèi)的所述漂移區(qū)域的n型雜質(zhì)濃度為N3,滿足如下關(guān)系: [式1] 以及 [式2]
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人株式會(huì)社電裝,其通訊地址為:日本愛知縣;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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