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龍圖騰網(wǎng)獲悉富士電機(jī)株式會(huì)社申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111081643B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201910821904.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/04；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法是由唐沢達(dá)也設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-09-02向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供能夠?qū)㈡I合線可靠地接合于電極焊盤的半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置具有電路基板5和殼體7，電路基板具有電極焊盤和在正面形成有電極焊盤的絕緣層4，殼體具備配置電路基板的配置區(qū)域7a而收納電路基板。而且，在絕緣層的背面的與電極焊盤的正下方對(duì)應(yīng)的第一區(qū)域4b形成有埋設(shè)接合材料6的凹部4c。因此，電極焊盤在正下方經(jīng)由絕緣層和接合材料6可靠地與殼體接合。這樣的半導(dǎo)體裝置1a中，如果在電極焊盤的鍵合區(qū)域2b上配置鍵合線8并使用鍵合工具9通過超聲波接合進(jìn)行接合，則能抑制電極焊盤相對(duì)于由鍵合工具9引起的超聲波振動(dòng)的振動(dòng)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有電路基板和殼體， 所述電路基板具有包含用于與鍵合線接合的鍵合區(qū)域的電極焊盤和在正面形成有所述電極焊盤的絕緣層， 所述殼體具備配置所述電路基板的配置區(qū)域而收納所述電路基板， 在所述絕緣層的背面中與所述電極焊盤的所述鍵合區(qū)域的正下方對(duì)應(yīng)的第一區(qū)域或所述配置區(qū)域中與所配置的所述電路基板的所述第一區(qū)域?qū)χ玫呐c所述鍵合區(qū)域的正下方對(duì)應(yīng)的第二區(qū)域形成有埋設(shè)接合材料并且包含所述第一區(qū)域或所述第二區(qū)域的凹部， 所述凹部形成于與所述電極焊盤的鍵合區(qū)域的正下方對(duì)應(yīng)的所述絕緣層的背面，或者形成于與所述電極焊盤的鍵合區(qū)域的正下方對(duì)應(yīng)的所述殼體的所述配置區(qū)域， 所述凹部的寬度為所述鍵合區(qū)域的寬度的0.8倍以上且1.2倍以下。

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