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龍圖騰網(wǎng)獲悉沈陽儀表科學(xué)研究院有限公司申請的專利低應(yīng)力高溫壓力傳感器芯片及加工方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120385444B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510887175.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01L1/22；該發(fā)明授權(quán)低應(yīng)力高溫壓力傳感器芯片及加工方法是由任向陽;張治國;劉宏偉;李永清;鄭浩;王卉如;何方;李穎;賈文博;祝永峰;單鶴南;張娜;李昌振;李迎輝;吳東閣;鄒繼鋒;關(guān)維冰;尹萍;白雪松;周聰;肖文英;馮艷敏;李斌設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本低應(yīng)力高溫壓力傳感器芯片及加工方法在說明書摘要公布了：本申請涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低應(yīng)力高溫壓力傳感器芯片及加工方法，低應(yīng)力高溫壓力傳感器芯片包括碳化硅外延片、鈍化層、金屬電極層和碳化硅封接晶圓；碳化硅外延片中的n型碳化硅器件層、p型碳化硅隔離層和n型碳化硅襯底層由上到下依次連接；n型碳化硅器件層經(jīng)刻蝕形成n型碳化硅壓力敏感電阻、封接區(qū)和隔離通道；鈍化層包括二氧化硅層和氮化硅層，二氧化硅層和氮化硅層上開設(shè)有應(yīng)力釋放區(qū)；n型碳化硅襯底層的底部經(jīng)刻蝕形成壓力腔體，壓力腔體正上方區(qū)域的p型碳化硅隔離層和n型碳化硅襯底層構(gòu)成壓力敏感膜片，應(yīng)力釋放區(qū)設(shè)置在壓力敏感膜片的上表面，以解決低應(yīng)力高溫壓力傳感器芯片可靠性低的問題。

本發(fā)明授權(quán)低應(yīng)力高溫壓力傳感器芯片及加工方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低應(yīng)力高溫壓力傳感器芯片，其特征在于，包括：碳化硅外延片、鈍化層、金屬電極層（10）和碳化硅封接晶圓（13）； 所述碳化硅外延片包括n型碳化硅器件層（1）、p型碳化硅隔離層（2）和n型碳化硅襯底層（3），所述n型碳化硅器件層（1）、p型碳化硅隔離層（2）和n型碳化硅襯底層（3）由上到下依次連接； 所述n型碳化硅器件層（1）經(jīng)刻蝕形成n型碳化硅壓力敏感電阻（4）、封接區(qū)（5）和隔離通道（6）；其中，所述n型碳化硅壓力敏感電阻（4）通過所述隔離通道（6）與所述封接區(qū)（5）隔離； 所述鈍化層包括二氧化硅層（7）和氮化硅層（8），所述二氧化硅層（7）位于所述n型碳化硅壓力敏感電阻（4）和所述隔離通道（6）的上表面，所述氮化硅層（8）位于所述二氧化硅層（7）的上表面，所述二氧化硅層（7）和氮化硅層（8）上開設(shè)有應(yīng)力釋放區(qū)（9）；所述n型碳化硅襯底層（3）的底部經(jīng)刻蝕形成壓力腔體（11），所述壓力腔體（11）正上方區(qū)域的p型碳化硅隔離層（2）和n型碳化硅襯底層（3）構(gòu)成壓力敏感膜片（12），所述應(yīng)力釋放區(qū)（9）設(shè)置在所述壓力敏感膜片（12）的上表面； 所述金屬電極層（10）設(shè)置在所述封接區(qū)（5）上，所述金屬電極層（10）與所述n型碳化硅壓力敏感電阻（4）電連接； 所述碳化硅封接晶圓（13）鍵合于所述碳化硅外延片的頂部。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人沈陽儀表科學(xué)研究院有限公司，其通訊地址為：110168 遼寧省沈陽市渾南區(qū)李巴彥路8號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。