買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉中科院南京天文儀器有限公司申請的專利基于雙層電極協同刻蝕的MEMS變形鏡及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120315166B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510806747.4，技術領域涉及：G02B26/06；該發明授權基于雙層電極協同刻蝕的MEMS變形鏡及其制備方法是由郭鑫;李成;田沛霖設計研發完成，并于2025-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于雙層電極協同刻蝕的MEMS變形鏡及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了基于雙層電極協同刻蝕的MEMS變形鏡及其制備方法，屬于可變形鏡面結構的微納加工技術。該制備方法通過以下步驟實現：在襯底背面刻蝕對準標記；在硅片襯底正面沉積氮化硅絕緣層，打開背面溶液刻蝕窗口；依次完成雙層多晶硅電極的協同刻蝕，同步形成叉指電極、蜂窩應力孔及螺旋導流溝槽；通過機械減薄與背孔定向刻蝕實現無損結構釋放；最后在真空鍵合封裝后濺射金屬反射層并實施退火工藝。本發明通過優化電極刻蝕協同性及反射鏡后置工藝，同時引入背孔釋放技術，解決了傳統工藝中刻蝕液擴散效率低、結構粘連率高的問題，使鏡面粗糙度與釋放良品率顯著提升，適用于高精度自適應光學系統制造。

本發明授權基于雙層電極協同刻蝕的MEMS變形鏡及其制備方法在權利要求書中公布了：1.基于雙層電極協同刻蝕的MEMS變形鏡的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1，清洗硅片襯底，并在硅片襯底的背面刻蝕對準標記； 步驟2，在硅片襯底的正面沉積氮化硅絕緣層，并打開背面溶液刻蝕窗口；溶液刻蝕窗口的錐角為54.7°±2°； 步驟3，在氮化硅絕緣層的正面沉積多晶硅層，經減薄及離子注入后圖案化形成第一叉指電極； 步驟4，在第一叉指電極的正面沉積第一磷硅玻璃犧牲層并進行減薄處理； 步驟5，在第一磷硅玻璃犧牲層正面沉積原位摻雜多晶硅層，減薄后同步刻蝕形成第二叉指電極、應力釋放孔及溶液導流溝槽； 步驟6，在原位摻雜多晶硅層正面沉積第二磷硅玻璃犧牲層，并選擇性去除引線區域； 步驟7，在第二磷硅玻璃犧牲層正面沉積并圖案化多晶硅支撐結構； 步驟8，對硅片襯底背面實施機械減薄至200~400μm； 步驟9，根據步驟2形成的背面溶液刻蝕窗口位置，刻蝕硅片襯底至步驟4中在第一叉指電極正面沉積的第一磷硅玻璃犧牲層； 步驟10，去除第一磷硅玻璃犧牲層和第二磷硅玻璃犧牲層完成結構釋放； 步驟11，在多晶硅支撐結構正面濺射金屬反射層并圖形化形成金基反射鏡面，實施退火工藝并進行真空鍵合封裝。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中科院南京天文儀器有限公司，其通訊地址為：210042 江蘇省南京市玄武區花園路6-10號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。