中國人民解放軍國防科技大學胡廣艷獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國人民解放軍國防科技大學申請的專利膠體光子晶體陣列芯片及構建方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120294909B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510772063.7，技術領域涉及：G02B6/122；該發明授權膠體光子晶體陣列芯片及構建方法和應用是由胡廣艷;歐鋼;孫鵬躍;樓生強;黃仰博;于美婷;張書政;龔碧設計研發完成，并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本膠體光子晶體陣列芯片及構建方法和應用在說明書摘要公布了：本發明涉及微納制造、光子功能材料與光電系統集成技術領域，公開了一種膠體光子晶體陣列芯片及構建方法和應用。膠體光子晶體陣列芯片的構建方法，包括以下步驟：制備顆粒粒徑為200nm–400nm、單分散性的膠體光子晶體分散液；制作帶有規則陣列腔體結構的芯片基底；將膠體光子晶體分散液分別注入芯片基底的規則陣列腔體結構的各個陣列腔體單元內；控制溫濕環境，蒸發干燥，使膠體顆粒自組裝成膜；在芯片基底表面設置柔性薄膜或玻璃層進行封裝，形成結構穩定的光子晶體陣列芯片。具有組裝精度高、色彩均勻性強、結構穩定性好等優點，可廣泛適用于智能傳感、光學標簽、彩色顯示及生物識別等場景。
本發明授權膠體光子晶體陣列芯片及構建方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種膠體光子晶體陣列芯片的構建方法，其特征在于，包括以下步驟： S100、制備顆粒粒徑為200nm–400nm、PDI0.1的單分散性的膠體光子晶體分散液； S200、制作帶有規則陣列腔體結構的芯片基底，陣列腔體結構的直徑為100μm-300μm，深度為10μm-100μm，縱橫比為0.03-1； S300、將膠體光子晶體分散液分別注入芯片基底的規則陣列腔體結構的各個陣列腔體單元內； S400、在溫度為40℃-60℃，相對濕度為30%-50%的條件下蒸發干燥，使膠體顆粒在各個陣列腔體單元內自組裝成具有面心立方或六方密排結構的光子晶體薄膜； S500、在芯片基底表面設置柔性薄膜或玻璃層進行封裝，封裝方式為UV固化樹脂、低溫熱熔膠或玻璃貼合，形成結構穩定的光子晶體陣列芯片。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國人民解放軍國防科技大學，其通訊地址為：410073 湖南省長沙市開福區德雅路109號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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