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龍圖騰網獲悉深圳市尚鼎芯科技有限公司申請的專利一種超結IGBT的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114944337B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210823656.8，技術領域涉及：H10D12/01；該發明授權一種超結IGBT的制造方法是由劉道國設計研發完成，并于2022-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種超結IGBT的制造方法在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體功率器件技術領域，具體涉及一種超結IGBT的制造方法，本發明通過采用快中子輻照能夠對單晶硅的電學性能產生較大影響，其在硅中引入的具有電活性的缺陷可以使硅的電阻率發生較大變化；本超結IGBT器件的制造方法能夠增強快中子輻照中射入粒子與硅原子的庫倫作用，更好的控制硅中的缺陷，實現精確控制器件制造工藝中硅片內的少子壽命，實現高成品率以及帶來更好的經濟效益；本發明超結IGBT的制造方法，可以降低電流對電荷平衡態的影響，使器件具有更好的穩定性和可靠性。

本發明授權一種超結IGBT的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種超結IGBT的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟S100：制作場氧化層，在硅襯底底部形成P型重摻雜的注入區（4），在所述注入區（4）上方形成N型重摻雜的緩沖區（5），并在所述緩沖區（5）上方形成N型摻雜的漂移區（6）； 步驟S101：在硅襯底上側分別形成位于左側的第一溝槽（11）和位于右側的第二溝槽（12）； 步驟S102：離子注入分別在第一溝槽（11）和第二溝槽（12）的上部左右兩側形成第一載體存儲區（21），并使離子在所述第一溝槽（11）和第二溝槽（12）的底部擴散，分別在第一溝槽（11）和第二溝槽（12）的左下側和右下側形成第二載體存儲區（22）； 步驟S103：刻蝕所述第一溝槽（11）和第二溝槽（12）的底部，使其低于所述第二載體存儲區（22）的底部，并位于所述漂移區（6）內； 步驟S104：在所述第一溝槽（11）和第二溝槽（12）內形成柵極（8）； 步驟S105：在所述硅襯底上部形成P型的體區（7），所述體區（7）的底部與所述第二載體存儲區（22）的頂部接觸；在第一溝槽（11）的左右兩側和第二溝槽（12）的左右兩側形成N型源漏（31），并連接柵極（8）；在體區（7）上部形成P型源漏（32），并連接發射極； 步驟S106：對所述硅襯底采用快中子進行輻照； 步驟S107：對所述硅襯底進行退火處理，通過450°C溫度退火在輻照區域禁帶中引入受主能級，通過650°C以上溫度退火使單晶硅中導電類型恢復。

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