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龍圖騰網獲悉上海積塔半導體有限公司申請的專利可消除淺溝槽凹坑的半導體工藝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114334794B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111663779.1，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權可消除淺溝槽凹坑的半導體工藝方法是由李樂;胡林輝;黃永彬;王峰設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本可消除淺溝槽凹坑的半導體工藝方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種可消除淺溝槽凹坑的半導體工藝方法，包括步驟：提供襯底，包括若干間隔分布的有源區以及位于有源區中間的淺溝槽隔離結構；于有源區內形成阱區；形成第一厚度的犧牲材料層，犧牲材料層覆蓋有源區及淺溝槽隔離結構，犧牲材料層的材質與淺溝槽隔離結構的材質相同；對犧牲材料層進行化學機械研磨，以使犧牲材料層的厚度消減為第二厚度，第一厚度與第二厚度的差值大于等于400埃；進行濕法刻蝕去除殘余的犧牲材料層，并使得有源區的上表面和淺溝槽隔離結構的上表面相平齊；于有源區的上表面依次形成柵氧化層和柵極多晶硅層。本發明可以有效避免在淺溝槽隔離結構周圍形成凹坑，可以避免器件的局部導通，有助于提高器件性能。

本發明授權可消除淺溝槽凹坑的半導體工藝方法在權利要求書中公布了：1.一種可消除淺溝槽凹坑的半導體工藝方法，其特征在于，包括步驟： 提供襯底，所述襯底包括若干間隔分布的有源區以及位于有源區中間的淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構的上表面高于有源區的上表面； 于所述有源區表面形成保護層，所述保護層的材質與淺溝槽隔離結構的材質相同； 對所述有源區進行離子注入及高溫退火，于所述有源區內形成阱區； 形成第一厚度的犧牲材料層，所述犧牲材料層覆蓋所述有源區及淺溝槽隔離結構，所述犧牲材料層的材質與所述淺溝槽隔離結構的材質相同； 對所述犧牲材料層進行化學機械研磨，以使所述犧牲材料層的厚度消減為第二厚度，第一厚度與第二厚度的差值大于等于400埃； 進行濕法刻蝕去除殘余的犧牲材料層，并使得有源區的上表面和淺溝槽隔離結構的上表面相平齊； 于有源區的上表面依次形成柵氧化層和柵極多晶硅層。

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