北?；菘瓢雽w科技有限公司史仁先獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北?；菘瓢雽w科技有限公司申請的專利半導體器件的制備方法及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114334632B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111652858.2，技術領域涉及：H01L21/225；該發明授權半導體器件的制備方法及半導體器件是由史仁先;王國峰設計研發完成，并于2021-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的制備方法及半導體器件在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體器件的制備方法及半導體器件。該半導體器件的制備方法包括：在襯底表面形成外延層，在外延層背離襯底的一側形成第一氧化層；在外延層內形成摻雜區；在高溫爐內進行預擴散，預擴散溫度為950℃?1050℃；通過漂酸的方式對部分第一氧化層以及第一氧化層表面殘留的有機物進行去除；在高溫爐內進行再擴散，再擴散溫度為800℃?900℃，在第一氧化層背離襯底的一側形成犧牲層；通過漂酸的方式對犧牲層、部分第一氧化層以及第一氧化層表面殘留的有機物進行去除。本申請通過在低溫條件下生長出比較疏松的犧牲層并去除犧牲層及部分第一氧化層，使得生產的半導體器件具有較小的漏電特性。
本發明授權半導體器件的制備方法及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括： 在襯底表面形成外延層，在外延層背離襯底的一側形成第一氧化層； 在外延層內形成摻雜區； 在高溫爐內進行預擴散，預擴散溫度為950℃-1050℃； 通過漂酸的方式對部分第一氧化層以及第一氧化層表面殘留的有機物進行去除； 在高溫爐內進行再擴散，再擴散溫度為800℃-900℃，再擴散時間為20min-40min，在第一氧化層背離襯底的一側形成犧牲層； 通過漂酸的方式對犧牲層、部分第一氧化層以及第一氧化層表面殘留的有機物進行去除； 在所述高溫爐內進行再擴散，再擴散溫度為800℃-900℃的步驟中，還包括：向高溫爐內通入氫氣和氧氣，氫氣的流量和氧氣的流量之比為1.5-1.8。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北海惠科半導體科技有限公司，其通訊地址為：536005 廣西壯族自治區北海市工業園區北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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