長鑫存儲技術有限公司盧經文獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體器件、電子設備及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115915750B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110934847.7，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權半導體器件、電子設備及制備方法是由盧經文設計研發完成，并于2021-08-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件、電子設備及制備方法在說明書摘要公布了：本公開公開了一種半導體器件、電子設備及制備方法，通過在半導體襯底上先形成字線溝槽，之后在字線溝槽中形成字線結構，之后再形成有源區。這樣可以使字線溝槽穿過半導體襯底，而不需要使字線溝槽穿過其他材料。由于半導體襯底的材料均一，從而不存在刻蝕選擇比的問題，進而使形成的字線溝槽的底面可以平整。在字線溝槽中形成字線結構時，可以使字線結構與半導體襯底直接接觸，而不需要使字線結構與其他材料進行接觸，從而可以使字線結構的底面可以平整，進而提高半導體器件的性能和可靠性。
本發明授權半導體器件、電子設備及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括： 在半導體襯底上形成多個字線溝槽；其中，所述字線溝槽沿第一方向延伸； 在各所述字線溝槽內形成字線結構；其中，所述字線結構的頂面和所述半導體襯底的頂面齊平； 在所述半導體襯底的頂面上形成多個有源區掩膜結構；其中，所述有源區掩膜結構在所述半導體襯底中界定出有源區，且所述有源區掩膜結構在所述半導體襯底的底面的正投影沿第二方向延伸且穿過所述字線結構在所述半導體襯底的底面的正投影； 以所述有源區掩膜結構為刻蝕掩膜，對所述字線結構和所述半導體襯底進行刻蝕，形成有源區和穿過所述有源區的埋入式字線。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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