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龍圖騰網獲悉奇躍公司申請的專利用于掃描MEMS懸臂的方法和系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115697707B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180036766.3，技術領域涉及：B32B38/10；該發明授權用于掃描MEMS懸臂的方法和系統是由S·A-B·?？寺?S·C·麥克奎德;A·拉吉夫;B·T·朔文格特;C·D·梅爾維爾設計研發完成，并于2021-05-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于掃描MEMS懸臂的方法和系統在說明書摘要公布了：一種用于制造具有器件表面、錐形表面和端部區域的懸臂的方法，包括：提供具有第一側面和與第一側面相對的第二側面的半導體襯底，以及蝕刻第二側面的預定部分以在第二側面中形成多個凹部。多個凹部中的每一個凹部包括蝕刻終止表面。該方法還包括：各向異性地蝕刻蝕刻終止表面以形成懸臂的錐形表面，以及蝕刻器件表面的預定部分以釋放懸臂的端部區域。

本發明授權用于掃描MEMS懸臂的方法和系統在權利要求書中公布了：1.一種用于制造懸臂的方法，所述方法包括： 提供半導體襯底，其包括第一半導體層、耦接到所述第一半導體層的第一介電層和耦接到所述第一介電層的第二半導體層； 形成耦接到所述第一半導體層的第二介電層； 形成耦接到所述第二半導體層的第三介電層； 形成耦接到所述第二介電層的第一硬掩模層，其中，所述第一硬掩模層包括暴露所述第二介電層的第一表面部分的第一組開口； 使用所述第一硬掩模層作為掩模來蝕刻所述第二介電層； 使用所述第一硬掩模層作為掩模來蝕刻所述第一半導體層； 使用所述第一硬掩模層作為掩模來蝕刻所述第一介電層； 使用所述第一硬掩模層作為掩模來蝕刻所述第二半導體層以形成各自具有錐形表面的多個凹部，其中，所述多個凹部中的每一個凹部包括在第一區域處的第一深度和在第二區域處的大于所述第一深度的第二深度； 移除所述第一硬掩模層； 形成耦接到所述第三介電層的第二硬掩模層，其中，所述第二硬掩模層包括暴露所述第三介電層的第二表面部分的第二組開口，其中，所述第三介電層的所述第二表面部分與所述多個凹部中的每一個凹部的所述第二區域的至少一部分對準； 使用所述第二硬掩模層作為掩模來蝕刻所述第三介電層和所述第二半導體層以延伸到所述多個凹部中； 移除所述第二硬掩模層； 移除所述第三介電層；以及 移除所述第二介電層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人奇躍公司，其通訊地址為：美國佛羅里達州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。