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龍圖騰網(wǎng)獲悉世界先進(jìn)積體電路股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115224022B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110404708.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置是由卡魯納·尼迪;林志軒;李建興;邱華琦設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-04-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：至少一晶體管、淺井區(qū)、保護(hù)環(huán)、以及多個(gè)第一摻雜區(qū)及多個(gè)第二摻雜區(qū)。所述至少一晶體管位于一基板上，所述至少一晶體管包括源極結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)、及漏極結(jié)構(gòu)。淺井區(qū)圍繞所述至少一晶體管。淺井區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。保護(hù)環(huán)圍繞淺井區(qū)。保護(hù)環(huán)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)設(shè)置在保護(hù)環(huán)內(nèi)并圍繞淺井區(qū)。第一摻雜區(qū)及第二摻雜區(qū)交替設(shè)置以形成一環(huán)形。第一摻雜區(qū)中的每一個(gè)及第二摻雜區(qū)中的每一個(gè)具有相反的導(dǎo)電類(lèi)型。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括： 至少一晶體管，于一基板上，至少一晶體管包括一源極結(jié)構(gòu)、一柵極結(jié)構(gòu)、及一漏極結(jié)構(gòu)； 一淺井區(qū)，圍繞所述至少一晶體管，其中所述淺井區(qū)具有一第一導(dǎo)電類(lèi)型； 一保護(hù)環(huán)，圍繞所述淺井區(qū)，其中所述保護(hù)環(huán)具有所述第一導(dǎo)電類(lèi)型；以及 多個(gè)第一摻雜區(qū)及多個(gè)第二摻雜區(qū)，設(shè)置在所述保護(hù)環(huán)內(nèi)并圍繞所述淺井區(qū)，其中所述第一摻雜區(qū)及所述第二摻雜區(qū)交替設(shè)置，以形成一環(huán)形，且各所述第一摻雜區(qū)及各所述第二摻雜區(qū)具有相反的導(dǎo)電類(lèi)型，其中所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度及所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述保護(hù)環(huán)的摻雜濃度，其中所述第一摻雜區(qū)中的每一個(gè)與所述第二摻雜區(qū)中的每一個(gè)是分隔的。

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