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龍圖騰網獲悉信越半導體株式會社申請的專利半導體基板的熱氧化膜形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115668465B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180035761.9，技術領域涉及：H01L21/316；該發明授權半導體基板的熱氧化膜形成方法是由大槻剛;阿部達夫設計研發完成，并于2021-03-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體基板的熱氧化膜形成方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體基板的熱氧化膜形成方法，其具有下述工序：相關關系獲取工序，其中，預先準備由清洗而形成的化學氧化膜的構成各不相同的多個半導體基板，在相同的熱氧化處理條件下進行熱氧化處理從而形成熱氧化膜，求出化學氧化膜的構成與熱氧化膜的厚度的相關關系；清洗條件確定工序，其中，根據在相關關系獲取工序中得到的相關關系，以使形成于半導體基板的熱氧化膜的厚度為規定厚度的方式確定化學氧化膜的構成，并同時確定形成具有確定出的化學氧化膜的構成的化學氧化膜的清洗條件；基板清洗工序，其中，在所確定的清洗條件下對半導體基板進行清洗；熱氧化膜形成工序，其中，對于進行了清洗的所述半導體基板，在與相關關系獲取工序中的熱氧化處理條件相同的條件下，對半導體基板進行熱氧化處理，在所述半導體基板表面形成熱氧化膜。由此，能夠再現性良好地將熱氧化膜形成為如預期的膜厚。

本發明授權半導體基板的熱氧化膜形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體基板的熱氧化膜形成方法，其是在半導體基板上形成熱氧化膜的方法，其特征在于， 該方法具有下述工序： 相關關系獲取工序，其中，預先準備多個半導體基板，所述多個半導體基板具有由清洗而形成的化學氧化膜且所述化學氧化膜的構成各不相同，在相同的熱氧化處理條件下對所述多個半導體基板進行熱氧化處理從而形成熱氧化膜，求出所述化學氧化膜的構成與所述熱氧化膜的厚度的相關關系； 清洗條件確定工序，其中，根據在所述相關關系獲取工序中得到的所述相關關系，以使形成于作為形成熱氧化膜的對象的半導體基板的熱氧化膜的厚度為規定厚度的方式確定所述化學氧化膜的構成，并同時確定形成具有所述確定出的化學氧化膜的構成的化學氧化膜的清洗條件； 基板清洗工序，其中，在所述清洗條件確定工序中所確定的清洗條件下對所述半導體基板進行清洗；以及 熱氧化膜形成工序，其中，對于在所述基板清洗工序中進行了清洗的所述半導體基板，在與所述相關關系獲取工序中的所述熱氧化處理條件相同的條件下，對所述半導體基板進行熱氧化處理，從而在所述半導體基板表面形成熱氧化膜。

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