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龍圖騰網獲悉軍事科學院系統工程研究院網絡信息研究所申請的專利基于二維層狀材料薄膜的芯片集成電光信號轉換方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114609808B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011445348.3，技術領域涉及：G02F1/025；該發明授權基于二維層狀材料薄膜的芯片集成電光信號轉換方法是由郭凱;張潔;陳浩;閆培光設計研發完成，并于2020-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于二維層狀材料薄膜的芯片集成電光信號轉換方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于二維層狀材料薄膜的芯片集成電光信號轉換方法，將二維層狀材料薄膜覆于芯片集成波導表面，將調制電壓加載于二維層狀材料薄膜上，通過改變自由載流子濃度調節芯片集成波導折射率實現對傳輸光場的電光相位調制，亦即實現電學信號向光學信號的高效轉換；另一方面，傳輸光場會引起二維層狀材料薄膜自由載流子濃度改變，通過探測電導率可實現光學信號向電學信號的高效轉換。本發明通過薄膜結構避免了調制電壓過高造成的波導擊穿，制備工藝簡單、轉換速度較高，可為芯片集成光電系統特別是微波光子系統奠定堅實技術基礎。

本發明授權基于二維層狀材料薄膜的芯片集成電光信號轉換方法在權利要求書中公布了：1.一種基于二維層狀材料薄膜的芯片集成電光信號轉換方法，包括以下步驟： 步驟一、電學信號向光學信號轉換，將電學信號通過外接電極加載于二維層狀材料薄膜上，通過改變自由載流子濃度調節芯片集成波導折射率并實現對傳輸光場的電光相位調制，傳輸光場的相位或強度將復刻電學信號； 步驟二、光學信號向電學信號的轉換，傳輸光場驅動二維層狀材料薄膜光電效應并改變自由載流子濃度，薄膜電導率變化可由外接電極測量，復刻傳輸光場攜帶的光學信號；具體包括： S101、制備電光調制器所需傳輸波導，優化設計橫截面結構使傳輸損耗較低且波導折射率靈敏變化，優化設計波導長度以兼顧低傳輸損耗和大調制深度，優化設計波導空間排布使二維層狀材料薄膜盡可能精準覆蓋； S102、將二維層狀材料薄膜無損轉移至波導表面，優化設計薄膜厚度使單位電壓、單位光場強度產生的自由載流子濃度最大、耗散時間最短； S103、電學信號按照外接電壓、自由載流子濃度、波導折射率、傳輸光場相位、其它光學自由度的順序轉換為光學信號，光學信號按照倏逝光場、光生自由載流子、電導率的順序轉換為電學信號。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人軍事科學院系統工程研究院網絡信息研究所，其通訊地址為：100141 北京市豐臺區大成路13號院；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。