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龍圖騰網(wǎng)獲悉華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利多芯片封裝結(jié)構(gòu)、制造方法以及電子設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116457941B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202080106852.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/12；該發(fā)明授權(quán)多芯片封裝結(jié)構(gòu)、制造方法以及電子設(shè)備是由李珩;張曉東;王晶;左文明;張娟;周旭設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-10-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本多芯片封裝結(jié)構(gòu)、制造方法以及電子設(shè)備在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)300，400，500，600、制造方法以及電子設(shè)備，能夠提高多芯片封裝的靈活性，以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)電子器件封裝的小型化。該封裝結(jié)構(gòu)300，400中從上至下依次包括：第一裸芯片層301、第二裸芯片層302以及第三裸芯片層303；第一裸芯片層301和第二裸芯片層302之間設(shè)置有多個(gè)混合鍵合結(jié)構(gòu)305；第二裸芯片層302中設(shè)置有多個(gè)貫穿第二裸芯片層302的TSV307，第三裸芯片層303和第二裸芯片層302之間設(shè)置有多個(gè)焊料凸點(diǎn)306。

本發(fā)明授權(quán)多芯片封裝結(jié)構(gòu)、制造方法以及電子設(shè)備在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種多芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)中從上至下依次包括：第一裸芯片層、第二裸芯片層以及第三裸芯片層，所述第一裸芯片層包括至少一個(gè)第一裸芯片，所述第二裸芯片層包括至少一個(gè)第二裸芯片，所述第三裸芯片層包括至少一個(gè)第三裸芯片； 其中，第一裸芯片層和第二裸芯片層之間設(shè)置有多個(gè)混合鍵合結(jié)構(gòu)，使得所述第一裸芯片層和所述第二裸芯片層之間通過(guò)至少一個(gè)混合鍵合結(jié)構(gòu)進(jìn)行電連接； 所述第二裸芯片層中設(shè)置有多個(gè)貫穿所述第二裸芯片層的硅通孔TSV，所述第三裸芯片層和所述第二裸芯片層之間設(shè)置有多個(gè)焊料凸點(diǎn)，所述第一裸芯片層和所述第三裸芯片層之間通過(guò)至少一個(gè)混合鍵合結(jié)構(gòu)、與所述至少一個(gè)混合鍵合結(jié)構(gòu)電連接的至少一個(gè)TSV以及與所述至少一個(gè)TSV電連接的至少一個(gè)焊料凸點(diǎn)進(jìn)行電連接； 所述第三裸芯片層采用的工藝的特征尺寸小于所述第一裸芯片層和所述第二裸芯片層。

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