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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114496735B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011153840.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/027；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由趙海;盛偉;張婷;趙君紅;張彬;張繼偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-10-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相鄰的器件區(qū)和偽圖形區(qū)，器件區(qū)基底上有器件掩膜側(cè)墻，偽圖形區(qū)基底上有偽掩膜側(cè)墻；在基底上形成填充層，覆蓋器件掩膜側(cè)墻和偽掩膜側(cè)墻；在偽圖形區(qū)中，刻蝕填充層和部分高度的偽掩膜側(cè)墻，形成剩余偽掩膜側(cè)墻，剩余偽掩膜側(cè)墻和填充層圍成溝槽；在溝槽側(cè)壁形成側(cè)壁保護層；刻蝕去除剩余偽掩膜側(cè)墻；去除側(cè)壁保護層；去除填充層；以器件掩膜側(cè)墻為掩膜刻蝕基底。本發(fā)明通過兩次刻蝕步驟去除偽掩膜側(cè)墻，且在形成側(cè)壁保護層之后，進行第二次刻蝕步驟，在側(cè)壁保護層的保護作用下，降低器件掩膜側(cè)墻被誤刻蝕的概率，使得器件掩膜側(cè)墻具有較低的線寬粗糙度，從而提高半導體結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括相鄰的器件區(qū)和偽圖形區(qū)，所述器件區(qū)的基底上形成有器件掩膜側(cè)墻，所述偽圖形區(qū)的基底上形成有偽掩膜側(cè)墻； 在所述基底上形成填充層，所述填充層覆蓋所述器件掩膜側(cè)墻和偽掩膜側(cè)墻； 在所述偽圖形區(qū)中，刻蝕所述填充層和部分高度的所述偽掩膜側(cè)墻，形成剩余偽掩膜側(cè)墻，所述剩余偽掩膜側(cè)墻和所述填充層圍成溝槽； 在所述溝槽的側(cè)壁形成側(cè)壁保護層； 形成所述側(cè)壁保護層后，刻蝕去除所述剩余偽掩膜側(cè)墻； 去除所述側(cè)壁保護層； 去除所述側(cè)壁保護層后，去除所述填充層； 去除所述填充層后，以所述器件掩膜側(cè)墻為掩膜刻蝕所述基底。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。