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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114267674B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010975880.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由鄭二虎;紀(jì)世良;張冬平設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-16向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括第一隔離區(qū)；在所述基底上形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)以及中間層，所述中間層還位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁面，且至少2個(gè)柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第一隔離區(qū)；刻蝕第一隔離區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)及相鄰柵極結(jié)構(gòu)間的中間層，在中間層內(nèi)形成貫穿第一隔離區(qū)上的多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的第一開口，刻蝕所述第一隔離區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)及相鄰柵極結(jié)構(gòu)間的中間層的工藝中，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)和中間層的刻蝕選擇比在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。從而，改善了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能和可靠性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括第一隔離區(qū)； 位于基底上的多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，至少2個(gè)柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第一隔離區(qū)，并且，在所述第一隔離區(qū)上，橫跨所述第一隔離區(qū)的2個(gè)以上柵極結(jié)構(gòu)中的每個(gè)柵極結(jié)構(gòu)內(nèi)分別具有貫穿所述柵極結(jié)構(gòu)的第一隔離槽； 位于所述第一隔離區(qū)表面的第二介質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述第二介質(zhì)結(jié)構(gòu)還位于多個(gè)所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁面、以及所述第一隔離槽內(nèi)； 其中，所述第二介質(zhì)結(jié)構(gòu)是在刻蝕去除柵極結(jié)構(gòu)之間的中間層以及第一隔離區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)后所形成開口內(nèi)形成的；所述中間層位于相鄰所述柵極結(jié)構(gòu)之間且覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁面；刻蝕所述第一隔離區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)及相鄰柵極結(jié)構(gòu)間的中間層的工藝中，對(duì)所述柵極結(jié)構(gòu)和中間層的刻蝕選擇比在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。