臺灣積體電路制造股份有限公司林民和獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利非共形帽蓋層及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112750767B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010935125.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)非共形帽蓋層及其形成方法是由林民和;林政頤;陳俊纮;徐志安設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本非共形帽蓋層及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請公開了非共形帽蓋層及其形成方法。一種方法包括：形成突出結(jié)構(gòu)；以及使用原子層沉積ALD工藝在突出結(jié)構(gòu)上形成非共形膜。非共形膜包括位于突出結(jié)構(gòu)正上方的頂部部分，以及突出結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的側(cè)壁部分。該頂部部分具有第一厚度，并且該側(cè)壁部分具有小于第一厚度的第二厚度。
本發(fā)明授權(quán)非共形帽蓋層及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括： 形成突出半導(dǎo)體鰭；以及 在所述突出半導(dǎo)體鰭上形成電介質(zhì)層； 使用原子層沉積ALD工藝在所述電介質(zhì)層上形成非共形膜，其中，所述非共形膜包括： 頂部部分，位于所述電介質(zhì)層的正上方，其中，所述頂部部分具有第一厚度；以及； 側(cè)壁部分，位于所述電介質(zhì)層的側(cè)壁上，其中，所述側(cè)壁部分具有小于所述第一厚度的第二厚度， 其中，所述非共形膜的底端高于所述突出半導(dǎo)體鰭的中間高度。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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