普賽昆騰公司埃里克·達德利獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉普賽昆騰公司申請的專利利用后道工藝的集成波導式探測器的隔離獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113519057B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980081565.8，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權利用后道工藝的集成波導式探測器的隔離是由埃里克·達德利;梁勇;法拉·納杰菲;維馬爾·卡米尼尼;安·梅里尼丘克設計研發完成，并于2019-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本利用后道工藝的集成波導式探測器的隔離在說明書摘要公布了：一種光學器件，包括：襯底、在襯底上的電介質層、在電介質層內的波導、在電介質層中并且耦合至波導的光敏部件例如，光電探測器、以及在襯底或電介質層的至少一者中的并且被配置成防止雜散光到達光敏部件的多個光隔離結構。在一些實施例中，多個光隔離結構中的光隔離結構包括兩個相對側壁和兩個相對側壁之間的填充材料。所述兩個相對側壁包括光學隔離層。所述填充材料由與襯底或電介質層中的至少一者的熱膨脹系數匹配的熱膨脹系數表征。
本發明授權利用后道工藝的集成波導式探測器的隔離在權利要求書中公布了：1.一種光子集成電路器件，包括： 襯底； 在所述襯底上的電介質層； 在所述電介質層內的波導； 在所述電介質層中的并且耦合至所述波導的光敏部件；和 在所述襯底和所述電介質層中的并且鄰近于所述光敏部件的多個光隔離結構，所述多個光隔離結構被配置成反射或吸收雜散光，以防止所述雜散光到達所述光敏部件；并且 所述多個光隔離結構包括：處于所述襯底中的第一光隔離結構以及處于所述電介質層中的第二光隔離結構； 所述第一光隔離結構中的填充材料由與所述襯底的熱膨脹系數匹配的熱膨脹系數表征； 所述第二光隔離結構中的填充材料的熱膨脹系數與所述電介質層的熱膨脹系數匹配；以及 所述第一光隔離結構與所述第二光隔離結構對準或偏移。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人普賽昆騰公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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