江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文微電子科技股份有限公司劉田鵬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉江蘇邑文微電子科技有限公司;無錫邑文微電子科技股份有限公司申請的專利一種檢測PECVD腔壁沉積薄膜粘附性的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120369608B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510885437.6,技術領域涉及:G01N19/04;該發明授權一種檢測PECVD腔壁沉積薄膜粘附性的方法是由劉田鵬;穆洪楊;季潤梅;郭琪設計研發完成,并于2025-06-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種檢測PECVD腔壁沉積薄膜粘附性的方法在說明書摘要公布了:本發明屬于半導體材料制造技術領域,提供了一種檢測PECVD腔壁沉積薄膜粘附性的方法,所述方法包括以下步驟:提供腔壁上沉積有薄膜的PECVD腔體;對PECVD腔體進行第一抽真空處理,將PECVD腔體抽至第一壓力后將顆粒片傳入PECVD腔體中,通入穩定性氣體至第二壓力,開啟射頻對薄膜進行轟擊處理;對PECVD腔體進行第二抽真空處理,將PECVD腔體抽至第三壓力后將顆粒片傳出PECVD腔體,檢測顆粒片上的顆粒后值,判斷薄膜粘附性。本發明所述方法可快速評估PECVD腔壁薄膜的宏觀粘附穩定性,尤其適用于量產環境中的預防性維護,避免由于薄膜粘附性差造成的成膜品質過低的問題。
本發明授權一種檢測PECVD腔壁沉積薄膜粘附性的方法在權利要求書中公布了:1.一種檢測PECVD腔壁沉積薄膜粘附性的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟: 提供腔壁上沉積有薄膜的PECVD腔體; 測量顆粒片的顆粒前值; 對PECVD腔體進行第一抽真空處理,PECVD腔體抽至第一壓力后,將所述顆粒片傳入PECVD腔體,通入穩定性氣體至第二壓力,開啟射頻對薄膜進行轟擊處理; 對PECVD腔體進行第二抽真空處理,將PECVD腔體抽至第三壓力后將顆粒片傳出PECVD腔體,檢測顆粒片的顆粒后值,根據所述顆粒后值與所述顆粒前值判斷薄膜粘附性。
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