合肥晶合集成電路股份有限公司郇小偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利圖像傳感器及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120358812B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510840719.4，技術領域涉及：H10F39/00；該發明授權圖像傳感器及其形成方法是由郇小偉;汪勇設計研發完成，并于2025-06-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本圖像傳感器及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種圖像傳感器及其形成方法，襯底的正面形成多個溝槽組，每個溝槽組包括兩個子溝槽；去除兩個子溝槽之間的至少部分間隔，以使兩個子溝槽連通形成一個溝槽，構成光電感應預留區；在光電感應預留區內形成光電轉換結構；執行第三刻蝕工藝，沿襯底的背面刻蝕部分襯底暴露出光電轉換結構的底部和部分側壁，光電轉換結構的底部構成陷光結構，相鄰光電轉換結構側壁之間的區域構成隔離區域，其中，第三刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝。本發明意想不到的效果是，在同樣像素面積的條件下，陷光結構增加了光電感應區面積，提升了圖像傳感器性能；濕法刻蝕工藝同時形成陷光結構和隔離區域，節省了工藝步驟并且避免了干法蝕刻工藝導致的晶格損傷。
本發明授權圖像傳感器及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供一襯底，所述襯底包括相對設置的正面和背面； 執行第一刻蝕工藝，在所述襯底的正面形成多個溝槽組，每個所述溝槽組包括兩個子溝槽，相鄰所述溝槽組的間距大于組內兩個所述子溝槽的間距； 執行第二刻蝕工藝，去除每個所述溝槽組內的兩個所述子溝槽之間的至少部分間隔，以使每個所述溝槽組內的兩個所述子溝槽連通形成一個溝槽，構成光電感應預留區； 形成光電轉換結構，所述光電轉換結構位于所述光電感應預留區內； 執行第三刻蝕工藝，沿所述襯底的背面刻蝕部分所述襯底暴露出所述光電轉換結構的底部和部分側壁，所述光電轉換結構的底部構成陷光結構，相鄰所述光電轉換結構的側壁之間的區域構成隔離區域，其中，所述第三刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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