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龍圖騰網獲悉中南大學申請的專利一種離散憶阻驅動型神經元設計方法及其實現電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120297339B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510784332.1，技術領域涉及：G06F30/367；該發明授權一種離散憶阻驅動型神經元設計方法及其實現電路是由孫克輝;陳雄建;張澤平;毛鳴震;王會海設計研發完成，并于2025-06-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種離散憶阻驅動型神經元設計方法及其實現電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種離散憶阻驅動型神經元的設計方法及其實現電路，包括確定壓控型離散局部有源憶阻器的離散迭代形式；設計基于三角函數的離散型局部有源憶阻器模型；接著確定基于二維映射的離散神經元模型；再將得到的離散型局部有源憶阻器引入離散神經元模型中，得到離散憶阻驅動型神經元模型；最后基于三角函數構建非線性函數，并代入到得到的神經元模型中，完成離散憶阻驅動型神經元的設計。該發明還提供了相應的模擬型與數字型電路構建，具有運行穩定、響應精確、性能優良等優勢，展現出良好的應用前景與工程實用性。

本發明授權一種離散憶阻驅動型神經元設計方法及其實現電路在權利要求書中公布了：1.一種離散憶阻驅動型神經元的設計方法，其特征在于包括如下步驟： S1.基于前向差分理論，確定壓控型離散局部有源憶阻器的離散迭代形式； S2.根據步驟S1確定的離散迭代形式，設計基于三角函數的離散型局部有源憶阻器模型； S3.基于二維映射，確定離散神經元模型； S4.將步驟S2得到的離散型局部有源憶阻器模型，代入步驟S3中的離散神經元模型，得到一種離散憶阻驅動型神經元模型；包括如下步驟： 將步驟S2得到的離散型局部有源憶阻器模型代入步驟S3得到的離散神經元模型，采用憶阻器中磁通項表征離散神經元的模型表達中的離子電流恢復變量項，將憶阻器的磁通變量映射為離子電流恢復變量，從而得到一種離散憶阻驅動型神經元模型； 采用如下算式表示新型離散憶阻驅動型神經元模型：式中為神經元膜電位的第n次迭代值；為具有N型特征的非線性函數；k為憶阻耦合強度；為離子電流恢復變量的第n次迭代值；a為非線性調制函數的幅值參數；為尺度因子；為N時刻下的憶阻器內部狀態變量； S5.基于三角函數構建非線性函數，并代入到步驟S4得到的離散憶阻驅動型神經元模型，完成離散憶阻驅動型神經元的設計。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中南大學，其通訊地址為：410083 湖南省長沙市岳麓區麓山南路932號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。