北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司;天津三環(huán)樂喜新材料有限公司李志學(xué)獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司;天津三環(huán)樂喜新材料有限公司申請的專利釹鐵硼磁體及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN120261096B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202510742897.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01F1/057;該發(fā)明授權(quán)釹鐵硼磁體及其制備方法是由李志學(xué);曹慧欽;李紹芳;關(guān)忠海;程毅設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2025-06-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本釹鐵硼磁體及其制備方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種釹鐵硼磁體及其制備方法,該釹鐵硼磁體包括以下成分:28wt%~30.5wt%的RL、0.5wt%~2wt%的RH、1.0wt%~2.5wt%的M、0.8wt%~1.0wt%的B、65wt%~69wt%的Fe;與釹鐵硼磁體取向方向平行的至少一組相對的兩個(gè)表面之間的距離為d,所述兩個(gè)表面中任一表面與距離該表面d1深度處的RH濃度差值為ΔC1,d1深度處與d2深度處的RH濃度差值為ΔC2,d1<d2,d1與d2之間的距離為d2,并且ΔC1ΔC2≥6,ΔC2與d2的比值k2滿足k2>0,ΔC1與d1的比值k1滿足k1>k2。
本發(fā)明授權(quán)釹鐵硼磁體及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種釹鐵硼磁體,其特征在于,所述釹鐵硼磁體包括以下成分:28wt%~30.5wt%的RL、0.5wt%~2wt%的RH、1.0wt%~2.5wt%的M、0.8wt%~1.0wt%的B、65wt%~69wt%的Fe, 其中,RL包括Nd元素,RH為重稀土元素,M包括Co、Al、Cu、Ga、Zr、Nb、Ti、Mo、Sn、Hf、W中的至少一種; 與釹鐵硼磁體取向方向平行的至少一組相對的兩個(gè)表面之間的距離為d,所述兩個(gè)表面中任一表面與距離該表面d1深度處的RH濃度差值為ΔC1,d1深度處與d2深度處的RH濃度差值為ΔC2,d1<d2,d1與d2之間的距離為d2,并且ΔC1ΔC2≥6,ΔC2與d2的比值k2滿足k2>0,ΔC1與d1的比值k1滿足k1>k2;其中10mm≤d≤50mm,2mm≤d1≤5mm。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司;天津三環(huán)樂喜新材料有限公司,其通訊地址為:100190 北京市海淀區(qū)中關(guān)村東路66號甲1號樓27層;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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