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龍圖騰網(wǎng)獲悉黑龍江大學(xué)申請的專利一種平面化電極結(jié)構(gòu)的立體硅磁敏三極管及制作工藝方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114639777B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210182692.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/01；該發(fā)明授權(quán)一種平面化電極結(jié)構(gòu)的立體硅磁敏三極管及制作工藝方法是由趙曉鋒;車昊陽;于志鵬;溫殿忠設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-02-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種平面化電極結(jié)構(gòu)的立體硅磁敏三極管及制作工藝方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種平面化電極結(jié)構(gòu)的立體硅磁敏三極管及其制作工藝方法，該結(jié)構(gòu)包括SOI器件硅層內(nèi)引線、SiO2介質(zhì)隔離環(huán)和磁敏感區(qū)等，通過器件硅層內(nèi)引線將發(fā)射極E從器件硅層的下表面引至器件硅層的上表面，使基極B、集電極C和發(fā)射極E均位于器件硅層的上表面，同時通過SiO2介質(zhì)隔離環(huán)進行內(nèi)引線區(qū)和磁敏感區(qū)的隔離，抑制內(nèi)引線區(qū)雜質(zhì)橫向擴散對磁敏感區(qū)的影響。通過采用SOI工藝和CMOS工藝相結(jié)合，實現(xiàn)了立體硅磁敏感三極管的三個電極E、B和C平面化，突破了該器件發(fā)射區(qū)內(nèi)引線制作工藝難點，為器件的集成化、小型化和批量化生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)，同時進一步提高了立體結(jié)構(gòu)磁敏三極管在磁場測量中的準確度。

本發(fā)明授權(quán)一種平面化電極結(jié)構(gòu)的立體硅磁敏三極管及制作工藝方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種平面化電極結(jié)構(gòu)的立體硅磁敏三極管的制作工藝方法，其特征在于，所述平面化電極結(jié)構(gòu)的立體硅磁敏三極管包括SOI器件硅層內(nèi)引線（5）、SiO2介質(zhì)隔離環(huán)（6）和磁敏感區(qū)， 所述SiO2介質(zhì)隔離環(huán)（6）位于第一硅片（1），并貫穿第一硅片（1），SiO2介質(zhì)隔離環(huán)（6）在第一硅片（1）中形成多個隔離區(qū)域，器件硅層內(nèi)引線（5）和磁敏感區(qū)均分布在隔離區(qū)域中， 所述方法包括以下步驟： 步驟1、清洗硅片，0次光刻，在硅片上表面和下表面通過干法刻蝕對版標記； 步驟2、清洗硅片，一次光刻，在硅片的下表面光刻隔離槽窗口，沉積SiO2隔離介質(zhì)，制作SiO2介質(zhì)隔離環(huán)（6），對硅片下表面進行平坦化工藝處理； 步驟3、清洗硅片，在硅片下表面熱氧化法生長SiO2層，作為離子注入緩沖層； 步驟4、二次光刻，光刻內(nèi)引線窗口，離子注入，形成n+型重摻雜，制作器件硅層內(nèi)引線（5），并高溫退火，所述高溫退火溫度為900～1200℃，對硅片下表面進行平坦化工藝處理； 步驟5、三次光刻，光刻發(fā)射區(qū)窗口，離子注入，形成n+型重摻雜，制作發(fā)射區(qū)（4），并高溫退火，對硅片下表面進行平坦化工藝處理，所述高溫退火溫度為900～1200℃； 步驟6、清洗硅片和第二硅片（2），在第二硅片（2）的上表面和下表面熱生長SiO2層，并將第二硅片（2）的上表面與硅片的下表面鍵合； 步驟7、0'次光刻，雙面光刻轉(zhuǎn)移硅片上表面對版標記至第二硅片（2）下表面； 步驟8、減薄硅片上表面，形成SOI晶圓，減薄后的硅片稱為第一硅片（1），即器件硅層； 步驟9、四次光刻，光刻集電極負載電阻R L窗口和基極負載電阻R b窗口，離子注入，在第一硅片（1）的上表面形成n-型摻雜，制作集電極負載電阻R L和基極負載電阻R b； 步驟10、五次光刻，光刻集電區(qū)窗口，離子注入，形成n+型重摻雜，制作集電區(qū)（7）； 步驟11、六次光刻，光刻基區(qū)窗口，離子注入，形成p+型重摻雜，制作基區(qū)（8），并高溫退火，退火溫度為1000～1200℃； 步驟12、清洗第一硅片（1），在第一硅片（1）上表面沉積SiO2層，作為絕緣層； 步驟13、七次光刻，在第一硅片（1）的上表面刻蝕引線孔，蒸鍍金屬Al層； 步驟14、八次光刻，刻蝕金屬層，形成互連線和壓焊點，金屬合金化工藝，形成歐姆接觸； 步驟15、清洗鍵合硅片，在第一硅片（1）的上表面沉積氮化硅（Si3N4）層，作為鈍化層； 步驟16、九次光刻，刻蝕鈍化層，形成壓焊點； 步驟17、清洗鍵合片，中測，劃片，無磁化封裝。

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