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龍圖騰網(wǎng)獲悉西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司申請的專利具有在軟偏置側(cè)屏蔽件下方的一個(gè)或多個(gè)反鐵磁層的讀磁頭以及相關(guān)方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115527558B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210129014.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11B5/11；該發(fā)明授權(quán)具有在軟偏置側(cè)屏蔽件下方的一個(gè)或多個(gè)反鐵磁層的讀磁頭以及相關(guān)方法是由樂廣;姜洪權(quán);黃承業(yè);高野久志設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本具有在軟偏置側(cè)屏蔽件下方的一個(gè)或多個(gè)反鐵磁層的讀磁頭以及相關(guān)方法在說明書摘要公布了：本公開涉及用于例如磁帶驅(qū)動(dòng)器例如，磁帶機(jī)的磁存儲(chǔ)裝置的讀磁頭設(shè)備，以及形成讀磁頭設(shè)備的方法。在一個(gè)實(shí)施方案中，用于磁存儲(chǔ)裝置的讀磁頭包含下屏蔽件、上屏蔽件、一條或多條下引線和多條上引線。所述讀磁頭包含多個(gè)讀取傳感器，所述多個(gè)讀取傳感器中的每個(gè)讀取傳感器包含第一反鐵磁AFM層。所述讀磁頭包含安置在所述多個(gè)讀取傳感器之間以及所述多個(gè)讀取傳感器外部的多個(gè)軟偏置側(cè)屏蔽件。所述讀磁頭包含沿著下磁道方向安置在所述多個(gè)軟偏置側(cè)屏蔽件下方的多個(gè)第二AFM層。

本發(fā)明授權(quán)具有在軟偏置側(cè)屏蔽件下方的一個(gè)或多個(gè)反鐵磁層的讀磁頭以及相關(guān)方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于磁存儲(chǔ)裝置的讀磁頭，其包括： 下屏蔽件； 上屏蔽件； 一條或多條下引線，其安置在所述下屏蔽件與所述上屏蔽件之間； 多條上引線，其沿著下磁道方向安置在所述一條或多條下引線上方，其中所述多條上引線中的每一個(gè)以及所述一條或多條下引線中的每一個(gè)是非磁性的和導(dǎo)電的； 多個(gè)讀取傳感器，其安置在所述一條或多條下引線與所述多條上引線之間，其中 每個(gè)讀取傳感器的緩沖層安置在相對于所述下屏蔽件的第一距離處；每個(gè)讀取傳感器的頂蓋層安置在相對于所述上屏蔽件的第二距離處，所述第二距離基本上等于所述第一距離，并且所述多個(gè)讀取傳感器中的每個(gè)讀取傳感器包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括： 第一反鐵磁層即第一AFM層，以及 自由層； 多個(gè)軟偏置側(cè)屏蔽件，其安置在所述多個(gè)讀取傳感器之間以及所述多個(gè)讀取傳感器外部；以及 多個(gè)第二AFM層，其安置在所述下屏蔽件與所述多個(gè)軟偏置側(cè)屏蔽件之間。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。