北京北方華創微電子裝備有限公司陳洪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京北方華創微電子裝備有限公司申請的專利半導體工藝方法和半導體工藝設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361075B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111671908.1，技術領域涉及：H01L21/67；該發明授權半導體工藝方法和半導體工藝設備是由陳洪;肖托;鐘結實;郭訓容;劉建濤設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體工藝方法和半導體工藝設備在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體工藝方法，應用于半導體工藝設備中，該半導體工藝方法包括：在當前的晶圓加工任務完成后，確定至少一個清潔模式當前的膜厚累積參數；對于任一清潔模式，當該清潔模式的膜厚累積參數達到該清潔模式對應的預設閾值時，執行該清潔模式對應的腔室清潔任務。本發明提供的半導體工藝方法能夠自動在設備每完成一個晶圓加工任務時確定膜厚累積參數，并在任一清潔模式的膜厚累積參數達到對應的預設閾值時，自動控制半導體工藝設備執行該清潔模式對應的腔室清潔任務，實現自動對反應腔室進行清潔，減小膜厚記錄誤差，并降低用人成本、節約設備維護保養時間。本發明還提供一種半導體工藝設備。
本發明授權半導體工藝方法和半導體工藝設備在權利要求書中公布了：1.一種半導體工藝方法，應用于半導體工藝設備中，其特征在于，所述半導體工藝方法包括： 在當前的晶圓加工任務完成后，確定至少一個清潔模式當前的膜厚累積參數，其中，所述清潔模式的數量為多個，每個所述清潔模式均具有對應的優先級； 對于任一所述清潔模式，當該清潔模式的所述膜厚累積參數達到該清潔模式對應的預設閾值時，執行該清潔模式對應的腔室清潔任務； 當多個所述清潔模式的所述膜厚累積參數同時達到各自對應的預設閾值時，按照多個所述清潔模式的優先級依次執行多個所述清潔模式對應的多個所述腔室清潔任務； 在執行所述腔室清潔任務后，將該腔室清潔任務對應的所述清潔模式的所述膜厚累積參數清零； 其中，所述確定至少一個清潔模式的膜厚累積參數，包括：將當前的所述晶圓加工任務對應的膜厚參數增加至每個所述清潔模式歷史的所述膜厚累積參數，得到每個所述清潔模式當前的所述膜厚累積參數。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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