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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利相變存儲器及其制造、編程和讀取方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114664881B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111582592.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B63/10；該發(fā)明授權(quán)相變存儲器及其制造、編程和讀取方法是由G·卡姆帕爾多;M·博爾吉設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本相變存儲器及其制造、編程和讀取方法在說明書摘要公布了：本公開的各實施例涉及相變存儲器及其制造、編程和讀取方法。一種相變存儲器PCM包括：半導(dǎo)體主體，容納選擇晶體管；電絕緣主體，被設(shè)置在半導(dǎo)體主體之上；導(dǎo)電區(qū)，延伸穿過電絕緣主體，電耦合到選擇晶體管；以及所述電絕緣主體中的多個加熱器元件。多個加熱器元件中的每個加熱器元件包括與導(dǎo)電區(qū)的相應(yīng)部分電接觸的第一端和遠(yuǎn)離導(dǎo)電區(qū)延伸的第二端。PCM還包括多個相變元件，多個相變元件在電絕緣主體中延伸并且包括數(shù)據(jù)存儲區(qū)，其中數(shù)據(jù)存儲區(qū)中的每個數(shù)據(jù)存儲區(qū)在一個相應(yīng)的加熱器元件的第二端處被電耦合且熱耦合到相應(yīng)的加熱器元件。

本發(fā)明授權(quán)相變存儲器及其制造、編程和讀取方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種相變存儲器PCM，包括： 半導(dǎo)體主體，容納選擇晶體管； 電絕緣主體，被布置在所述半導(dǎo)體主體之上； 導(dǎo)電區(qū)，延伸穿過所述電絕緣主體，電耦合到所述選擇晶體管； 所述電絕緣主體中的多個加熱器元件，所述多個加熱器元件中的每個加熱器元件包括與所述導(dǎo)電區(qū)的相應(yīng)部分電接觸的第一端、以及遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電區(qū)延伸的第二端； 多個相變材料元件，在所述電絕緣主體中延伸，并且包括數(shù)據(jù)存儲區(qū)，所述數(shù)據(jù)存儲區(qū)中的每個數(shù)據(jù)存儲區(qū)在一個相應(yīng)的加熱器元件的所述第二端處電耦合且熱耦合到相應(yīng)的所述加熱器元件，其中所述多個相變材料元件中的每個相變材料元件是沿著平行于所述半導(dǎo)體主體的主表面的方向的連續(xù)條帶，并且其中所述多個加熱器元件的子集沿著所述連續(xù)條帶中的每個連續(xù)條帶設(shè)置在不同的位置處并且由絕緣區(qū)隔開；以及 電介質(zhì)或絕緣材料的密封層，覆蓋堆疊的側(cè)壁，所述堆疊包括所述加熱器元件中的一個加熱器元件和與其耦合的所述數(shù)據(jù)存儲區(qū)中的相應(yīng)一個數(shù)據(jù)存儲區(qū)，所述密封層蓋住所述數(shù)據(jù)存儲區(qū)中的所述相應(yīng)一個數(shù)據(jù)存儲區(qū)的頂部主表面，其中所述電絕緣主體的一部分覆蓋所述堆疊上方的所述密封層。

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