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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、晶體管及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116072717B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111269573.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/68；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、晶體管及其制造方法是由沈宇桐設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、晶體管及其制造方法。其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于形成柵極氧化層，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料的介電常數(shù)大于預(yù)設(shè)值，所述金屬氧化物層具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面；硅酸鹽層，所述硅酸鹽層覆蓋所述第一表面和或第二表面，所述硅酸鹽層具有與所述金屬氧化物層相同的金屬元素，所述硅酸鹽層中硅的含量沿第一方向逐漸增加，所述第一方向由所述金屬氧化物層指向遠(yuǎn)離所述金屬氧化物層的方向。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、晶體管及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，用于形成柵極氧化層，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括： 金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料的介電常數(shù)大于預(yù)設(shè)值，所述金屬氧化物層具有相對設(shè)置的第一表面和第二表面； 硅酸鹽層，所述硅酸鹽層覆蓋所述第一表面和或第二表面，所述硅酸鹽層具有與所述金屬氧化物層相同的金屬元素，所述硅酸鹽層中硅的含量沿第一方向逐漸增加，所述第一方向由所述金屬氧化物層指向遠(yuǎn)離所述金屬氧化物層的方向； 所述硅酸鹽層包括第一硅酸鹽層和第二硅酸鹽層，所述第一硅酸鹽層覆蓋所述第一表面，所述第二硅酸鹽層覆蓋所述第二表面，所述第一硅酸鹽層中硅的含量和所述第二硅酸鹽層中硅的含量均沿所述第一方向逐漸增加。

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