北京魯汶半導體科技有限公司韓大健獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京魯汶半導體科技有限公司申請的專利一種等離子體刻蝕設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116013755B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111227060.3，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權一種等離子體刻蝕設備是由韓大健;李娜;彭泰彥;車東晨;許開東設計研發完成，并于2021-10-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種等離子體刻蝕設備在說明書摘要公布了：本發明公開一種等離子體刻蝕設備，其工藝腔室中包括電極底座、電極和內襯；該內襯的筒形側部覆于所述工藝腔室的內側壁面，且兩者之間設置有絕緣套筒，該內襯的環形底部可與電極底座相接；環形底部的下表面具有內襯安裝部，電極底座的上表面相應設置有可與內襯安裝部適配的第一底座安裝部和第二底座安裝部，并配置為：內襯安裝部與第一底座安裝部適配時，環形底部的下表面與電極底座的上表面貼合；內襯安裝部與第二底座安裝部適配時，環形底部的下表面位于電極底座的上表面之間具有預定間距，且環形底部與電極之間設置有可拆卸連接的電性連接件。應用本方案，在確保晶圓刻蝕的均勻一致性及刻蝕速率的基礎上，能夠獲得良好的清洗效果。
本發明授權一種等離子體刻蝕設備在權利要求書中公布了：1.一種等離子體刻蝕設備，包括工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室中包括： 電極底座； 電極，通過絕緣墊設置在所述電極底座上； 內襯，包括環形底部和自所述環形底部外沿向上延伸形成的筒形側部，所述筒形側部覆于所述工藝腔室的內側壁面，且兩者之間設置有絕緣套筒，所述環形底部可與電極底座相接；所述環形底部的下表面具有內襯安裝部，所述電極底座的上表面相應設置有可與所述內襯安裝部適配的第一底座安裝部和第二底座安裝部； 其中，所述內襯安裝部與所述第一底座安裝部適配時，配置為：所述環形底部的下表面與所述電極底座的上表面貼合； 其中，所述內襯安裝部與所述第二底座安裝部適配時，配置為：所述環形底部的下表面位于所述電極底座的上表面的上方，兩者之間具有預定間距，且所述環形底部與所述電極之間設置有可拆卸連接的電性連接件。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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