南京大學;南京磊幫半導體科技有限公司蘆紅獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南京大學;南京磊幫半導體科技有限公司申請的專利一種半導體/金屬/半導體量子阱結構、制備方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113972319B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111211968.5，技術領域涉及：H10D48/38；該發明授權一種半導體/金屬/半導體量子阱結構、制備方法及其應用是由蘆紅;常夢琳;袁紫媛設計研發完成，并于2021-10-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體/金屬/半導體量子阱結構、制備方法及其應用在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體金屬半導體量子阱結構，其特征在于，包括第一半導體層、金屬Al薄膜層和第二半導體層，其中金屬Al薄膜層夾雜在第一半導體層和第二半導體層之間，金屬Al薄膜層為取向唯一的單晶且沒有孿晶。本發明還提供了一種半導體金屬半導體量子阱結構的制備方法。本發明利用兩步法外延制備的金屬Al薄膜表面平整，單晶質量高，無孿晶，光學損耗低，半導體金屬半導體量子阱結構可用于半導體量子信息器件。
本發明授權一種半導體/金屬/半導體量子阱結構、制備方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種半導體金屬半導體量子阱結構，其特征在于，包括第一半導體層、金屬Al薄膜層和第二半導體層，其中所述金屬Al薄膜層夾雜在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間，所述金屬Al薄膜層為取向唯一的單晶且沒有孿晶，所述金屬Al薄膜層的厚度為0.1-100nm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京大學;南京磊幫半導體科技有限公司，其通訊地址為：210046 江蘇省南京市棲霞區仙林大道163號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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