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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115763372B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111028400.X，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權半導體結構的形成方法是由鄭二虎設計研發完成，并于2021-09-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供待刻蝕層，待刻蝕層包括第一區和第二區；在第一區上形成沿平行于襯底表面的第一方向分立的若干第一核心層；在第二區上形成沿平行于襯底表面的第二方向分立的若干第二核心層相鄰第二核心層的第二尺寸大于相鄰第一核心層的第一尺寸；在第一核心層和第二核心層側壁表面、頂部表面形成側墻材料層；采用第一刻蝕工藝刻蝕側墻材料層，在第一核心層側壁形成第一側墻，第一側墻在第一方向上具有第一尺寸；采用第二刻蝕工藝刻蝕側墻材料層，在第二核心層側壁形成第二側墻，第二側墻在第一方向上具有第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸；以第一側墻和第二側墻刻蝕待刻蝕層。所述方法形成的半導體結構形貌較好。

本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蝕層，所述待刻蝕層包括第一區和第二區； 在第一區上形成若干分立的第一核心層，若干所述第一核心層沿第一方向排列，所述第一方向平行于襯底表面； 在第二區上形成若干分立的第二核心層，若干所述第二核心層沿第一方向排列，相鄰第二核心層的第二尺寸大于相鄰第一核心層的第一尺寸，所述第一尺寸包括第一核心層沿第一方向上的尺寸以及相鄰第一核心層之間的間距，所述第二尺寸包括第二核心層沿第一方向上的尺寸以及相鄰第二核心層之間的間距； 在第一核心層側壁表面和頂部表面、以及第二核心層側壁表面和頂部表面形成側墻材料層，所述第二核心層側壁表面和頂部表面的側墻材料層包括第一部分和位于第一部分上的第二部分，所述第一部分位于所述第二核心層側壁，所述第二部分的底部平面與第二核心層的頂部平面齊平，所述第二部分包括第一區和位于第一區兩側的第二區，所述第一區位于第二核心層表面，所述第二區與第一部分相接，且所述第二區在第一方向上的尺寸沿第二方向逐漸增大，所述第二方向垂直于待刻蝕層表面； 采用第一刻蝕工藝刻蝕所述第一核心層側壁表面和頂部表面的側墻材料層，在第一核心層側壁形成第一側墻，所述第一側墻在第一方向上具有第一尺寸； 采用第二刻蝕工藝刻蝕所述第二核心層側壁表面和頂部表面的側墻材料層，在第二核心層側壁形成第二側墻，所述第二側墻在第一方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸； 以所述第一側墻和第二側墻刻蝕所述待刻蝕層。

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