買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115692414B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202110851183.8，技術領域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權半導體結構及其形成方法是由張婷;張文設計研發(fā)完成，并于2021-07-27向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體的結構及其形成方法，方法包括：在襯底的頂部形成初始隔離層；在初始隔離層露出的第一鰭部和第一溝道鰭部的側壁形成保護層；去除部分厚度的初始隔離層，露出第一鰭部的部分側壁，剩余的初始隔離層作為第一隔離層；將第一隔離層和保護層露出的第一鰭部轉化為第二鰭部，在第二器件區(qū)中，位于第二鰭部頂部的剩余第一鰭部作為第二溝道鰭部；在第一器件區(qū)的第一隔離層的頂部形成第二隔離層，第二隔離層和第一隔離層構成隔離層；去除保護層；去除第二器件區(qū)中的第二鰭部和第一器件區(qū)的第一鰭部；在隔離層的頂部形成橫跨第一溝道鰭部和第二溝道鰭部的柵極結構。滿足第一型晶體管和第二型晶體管對載流子遷移率的要求，提高半導體結構的性能。

本發(fā)明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括用于形成第一型晶體管的第一器件區(qū)和用于形成第二型晶體管的第二器件區(qū)； 第一鰭部，凸立于所述襯底的頂部，所述第一器件區(qū)的第一鰭部頂部低于所述第二器件區(qū)的第一鰭部頂部； 第二鰭部，位于所述第一器件區(qū)的所述第一鰭部的頂部，所述第二鰭部的頂部與位于所述第二器件區(qū)中的所述第一鰭部的頂部相齊平，且所述第二鰭部和第一鰭部的材料不同； 隔離層，位于所述第一鰭部和第二鰭部露出的所述襯底上，所述隔離層覆蓋所述第一鰭部和第二鰭部的側壁； 第一溝道鰭部，位于所述第一器件區(qū)的第二鰭部的頂部，且在縱向上與所述第二鰭部間隔設置； 第二溝道鰭部，位于所述第二器件區(qū)的第一鰭部的頂部，且在縱向上與所述第一鰭部間隔設置，所述第二溝道鰭部和第一溝道鰭部的材料不同； 柵極結構，位于所述隔離層的頂部且橫跨所述第一溝道鰭部和第二溝道鰭部，所述柵極結構包括柵介質(zhì)層和覆蓋所述柵介質(zhì)層的柵電極層，其中，在所述第一器件區(qū)中，所述柵介質(zhì)層環(huán)繞覆蓋所述第一溝道鰭部的部分頂部、部分側壁和部分底部，在所述第二器件區(qū)中，所述柵介質(zhì)層環(huán)繞覆蓋所述第二溝道鰭部的部分頂部、部分側壁和部分底部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" href="https://iptop.www.gztjhr.cn/list?keyword=%E4%B8%AD%E8%8A%AF%E5%9B%BD%E9%99%85%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%88%B6%E9%80%A0%28%E4%B8%8A%E6%B5%B7%29%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8%3B%E4%B8%AD%E8%8A%AF%E5%9B%BD%E9%99%85%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%88%B6%E9%80%A0%28%E5%8C%97%E4%BA%AC%29%E6%9C%89%E9%99%90%E5%85%AC%E5%8F%B8&temp=1">中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。