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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國(guó)科學(xué)院微電子研究所申請(qǐng)的專利一種SiC溝槽的刻蝕方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115527848B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110706098.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)一種SiC溝槽的刻蝕方法是由楊成樾;劉新宇;白云;王臻星;韓忠霖;湯益丹;陳宏;田曉麗;陸江;郝繼龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-06-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種SiC溝槽的刻蝕方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種SiC溝槽的刻蝕方法，屬于半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，用于解決刻蝕后溝槽的側(cè)壁粗糙度遠(yuǎn)高于外延和拋光過(guò)的晶圓表面，過(guò)高的粗糙度會(huì)降低導(dǎo)電溝道的遷移率和柵氧可靠性的問(wèn)題。所述方法包括：在碳化硅基質(zhì)表面制備圖形化的掩膜層；對(duì)所述掩膜層進(jìn)行圖形優(yōu)化；利用所述圖形優(yōu)化后的掩膜層對(duì)所述碳化硅基質(zhì)進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明提供的技術(shù)方案能夠降低刻蝕后碳化硅的側(cè)壁粗糙度和表面波紋度，并保證器件的電學(xué)性能。

本發(fā)明授權(quán)一種SiC溝槽的刻蝕方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種SiC溝槽的刻蝕方法，其特征在于，包括： 步驟1、在碳化硅基質(zhì)上制備掩膜層，沿遠(yuǎn)離碳化硅基質(zhì)表面方向，所述掩膜層依次包括：第一掩膜介質(zhì)層和第二掩膜介質(zhì)層； 步驟2、對(duì)所述第二掩膜介質(zhì)層進(jìn)行圖形化； 步驟3、以所述第二掩膜介質(zhì)層為掩膜刻蝕所述第一掩膜介質(zhì)層，將第二掩膜介質(zhì)層上的圖形傳導(dǎo)轉(zhuǎn)移到第一掩膜介質(zhì)層上；完成第一掩膜介質(zhì)層圖形化后去除殘留的第二掩膜介質(zhì)層并清洗襯底； 步驟4、采用回流工藝對(duì)所述第一掩膜介質(zhì)層形貌進(jìn)行調(diào)整；在完成碳化硅刻蝕前，通過(guò)回流的方法降低掩膜層側(cè)壁粗糙度和表面波紋度，優(yōu)化掩膜層上圖形，避免刻蝕工藝的圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程中掩膜側(cè)壁波紋的傳導(dǎo)，從而降低刻蝕后碳化硅的側(cè)壁粗糙度和表面波紋度； 步驟5、以所述第一掩膜介質(zhì)層為掩膜刻蝕碳化硅基質(zhì)，形成所需的溝槽結(jié)構(gòu)； 第一掩膜介質(zhì)層與碳化硅基質(zhì)的刻蝕選擇比為2-3； 所述第一掩膜介質(zhì)層與所述第二掩膜介質(zhì)層的厚度比為1:2-1:3； 所述步驟4，包括：在惰性氣氛和加熱溫度800℃-1200℃的條件下，加熱30min-60min。

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