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龍圖騰網(wǎng)獲悉華為技術(shù)有限公司申請的專利磁性薄膜及其制備方法、半導(dǎo)體封裝模組和電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115413210B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110586639.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H05K9/00；該發(fā)明授權(quán)磁性薄膜及其制備方法、半導(dǎo)體封裝模組和電子設(shè)備是由喻志剛;周儉軍;狄偉;劉剛;李維;劉星;官建國;吳天龍設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-05-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本磁性薄膜及其制備方法、半導(dǎo)體封裝模組和電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N磁性薄膜，包括基底和復(fù)合層。復(fù)合層包括層疊的多個磁性層和絕緣的多個介質(zhì)層，多個磁性層和多個介質(zhì)層在所述基底一側(cè)層疊交替排布。每一個磁性層的厚度為2nm?100nm；每一個介質(zhì)層的厚度為2nm?10nm。復(fù)合層包括非周期性分布的多條裂紋。至少部分裂紋沿垂直復(fù)合層的層疊方向的橫截面的延伸方向不同，至少部分的裂紋沿垂直復(fù)合層的層疊方向的橫截面非直線延伸。本申請還提供該種應(yīng)用該磁性薄膜的電子設(shè)備和半導(dǎo)體封裝模組、該磁性薄膜的制備方法。所述磁性薄膜為在射頻微波頻段具有高磁導(dǎo)率的吸波材料。所述磁性薄膜在厚度達到微米級的條件下仍具有高磁導(dǎo)率和高電阻率。

本發(fā)明授權(quán)磁性薄膜及其制備方法、半導(dǎo)體封裝模組和電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種磁性薄膜，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底一側(cè)的復(fù)合層，所述復(fù)合層包括層疊的多個磁性層和多個介質(zhì)層，所述多個磁性層和所述多個介質(zhì)層在所述基底一側(cè)交替排布； 每一個磁性層的厚度為2nm-100nm；每一個介質(zhì)層的厚度為2nm-10nm；所述復(fù)合層的厚度為50nm-10μm；所述復(fù)合層包括多條裂紋，所述多條裂紋非周期性分布，至少部分所述多條裂紋沿垂直所述復(fù)合層的層疊方向的橫截面的延伸方向不同，至少部分所述多條裂紋沿垂直所述復(fù)合層的層疊方向的橫截面非直線延伸； 所述多條裂紋為濺射形成所述復(fù)合層的過程中，所述復(fù)合層中的內(nèi)應(yīng)力釋放導(dǎo)致。

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