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龍圖騰網獲悉華潤微電子(重慶)有限公司申請的專利MOSFET器件及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394829B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110566514.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權MOSFET器件及制備方法是由焦偉;劉華瑞設計研發完成，并于2021-05-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本MOSFET器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種MOSFET器件及制備方法，引入具有不同摻雜濃度的雙層外延以及較深的具有不同厚度柵介電層的溝槽柵極結構，能夠使得在一定溝槽深度情況下MOSFET器件取得較高的耐壓，顯著降低了導通電阻和反向恢復時間；在溝槽柵極結構中，形成的具有不同厚度的柵介電層以及具有同一平面的柵導電層的復合溝槽柵結構的制備工藝簡單，便于制造實現，且制造成本較低；在外延結構中引入缺陷中心，還可進一步的降低MOSFET器件的反向恢復時間，從而可大幅提升電源系統的整流效率，同時雙層外延提供了軟的反向恢復特性，顯著降低了系統的電壓和電流尖峰，提高了系統可靠性。

本發明授權MOSFET器件及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件包括： 具有第一導電類型的外延結構，所述外延結構包括堆疊設置的第一外延層及第二外延層，且所述第一外延層的摻雜濃度大于所述第二外延層的摻雜濃度，所述外延結構為具有缺陷中心的外延結構，形成所述缺陷中心的物質包括鋰、鐵及銅中的一種或組合，且所述缺陷中心均勻分布于所述第一外延層及所述第二外延層中； 溝槽柵極結構，所述溝槽柵極結構設置于所述外延結構中，包括第一溝槽柵極結構及第二溝槽柵極結構，其中，所述第一溝槽柵極結構包括第一柵介電層及第一柵導電層，所述第二溝槽柵極結構包括第二柵介電層及第二柵導電層，且所述第二溝槽柵極結構位于所述第一柵介電層上，并位于部分所述第一柵導電層的外圍，且所述第一柵介電層直接作為所述第二溝槽柵極結構中的所述第二柵介電層應用； 具有第二導電類型的體區，所述體區設置于所述溝槽柵極結構之間的所述第二外延層中，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反； 具有第一導電類型的源區，所述源區設置于所述體區上。

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