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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利磁存儲器件及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113314666B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110476211.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N52/80；該發(fā)明授權(quán)磁存儲器件及其形成方法是由李乾銘;林世杰設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-04-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本磁存儲器件及其形成方法在說明書摘要公布了：磁存儲器件包括自旋軌道扭矩SOT感應(yīng)自旋霍爾電極和設(shè)置在自旋霍爾電極上的磁隧道結(jié)MTJ堆疊件的自由層，自由層是合成反鐵磁結(jié)構(gòu)。自由層具有磁矩，該磁矩相對于MTJ堆疊件的長軸傾斜，并且相對于電流流過自旋霍爾電極的方向傾斜。MTJ堆疊件內(nèi)部產(chǎn)生磁場以切換自由層的狀態(tài)。自由層包括通過間隔層與第二層隔開的第一層，其中第一層和第二層可以具有相同或不同的晶體結(jié)構(gòu)。本申請的實施例提供了磁存儲器件及其形成方法。

本發(fā)明授權(quán)磁存儲器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種磁存儲器件，包括： 自旋霍爾電極，所述自旋霍爾電極包括自旋霍爾金屬； 磁隧道結(jié)堆疊件，設(shè)置在所述自旋霍爾電極上方，所述磁隧道結(jié)包括與所述自旋霍爾電極接合的合成反鐵磁自由層，所述合成反鐵磁自由層包括第一磁層、第二磁層和插入在所述第一磁層和所述第二磁層之間的間隔層； 第一導(dǎo)線，耦合至所述自旋霍爾電極的第一端；以及 第二導(dǎo)線，耦合至所述自旋霍爾電極的第二端，所述第一端和所述第二端相對， 其中，所述磁隧道結(jié)堆疊件在俯視圖中呈橢圓形，并且所述磁隧道結(jié)堆疊件的長軸平行于所述自旋霍爾電極的第一端與所述自旋霍爾電極的第二端之間的電流流動方向， 其中，所述第一磁層的磁矩和所述第二磁層的磁矩從所述磁隧道結(jié)堆疊件的長軸開始分別以相反的方向旋轉(zhuǎn)， 其中，所述第一導(dǎo)線電連接至第一晶體管的源極漏極，所述第二導(dǎo)線電連接至第二晶體管的源極漏極，所述磁隧道結(jié)堆疊件的與所述自旋霍爾電極相對的一端通過導(dǎo)電圖案連接至所述磁存儲器件的位線， 其中，所述第一導(dǎo)線和所述第二導(dǎo)線被配置為使得從所述第一導(dǎo)線至所述第二導(dǎo)線流動的電流平行于所述磁隧道結(jié)堆疊件的長軸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。