波主有限公司安相貞獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉波主有限公司申請的專利半導體發光器件的制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115336014B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202180024617.5,技術領域涉及:H10H20/816;該發明授權半導體發光器件的制造方法是由安相貞設計研發完成,并于2021-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體發光器件的制造方法在說明書摘要公布了:本公開涉及一種半導體發光器件的制造方法METHODOFMANUFACTURINGSEMICONDUCTORLIGHTEMITTINGDEVICE,其為通過非引線鍵合制造半導體發光器件的方法,上述方法包括如下步驟:準備半導體發光二極管及支撐基板;在第二電通路暴露的狀態下,將半導體發光二極管附著于支撐基板,使得覆蓋整個第二半導體區域的導電接合構件毫無縫隙地與接合層相接合;去除基板;以及通過電連接,使第一半導體區域及第二半導體區域中的剩余一個與第二電通路通過沉積電性連接。
本發明授權半導體發光器件的制造方法在權利要求書中公布了:1.一種半導體發光器件的制造方法,其為通過非引線鍵合制造半導體發光器件的方法,其特征在于,包括如下步驟: 準備半導體發光二極管及支撐基板,其中,所述半導體發光二極管從晶片狀態個別化,配置有基板、多個半導體區域、與第一半導體區域及第二半導體區域中的一個電性連接且遍及整個第二半導體區域形成的導電接合構件,所述多個半導體區域包括具有第一導電性的第一半導體區域、通過電子與空穴的復合產生光的有源區域以及具有與第一導電性不同的第二導電性的第二半導體區域;所述支撐基板配置有上表面及下表面、從上表面連接到下表面側的第一電通路和第二電通路以及在上表面通過覆蓋第一電通路來電性連接的接合層; 以覆蓋整個第二半導體區域的導電接合構件毫無縫隙地與接合層相接合的方式,在導電接合構件與接合層相接合之前第二電通路為暴露的狀態下,將半導體發光二極管附著于支撐基板; 去除基板;以及 通過電連接,使第一半導體區域及第二半導體區域中的剩余一個與第二電通路通過沉積電性連接。
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