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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利形成微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113942973B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202110314941.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B81C1/00；該發(fā)明授權(quán)形成微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的方法是由郭宏達(dá);王乙翕;楊子平;王興宇;趙書(shū)漢;許希丞;周銀銅;紀(jì)元興;林生元設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本形成微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：可從共晶接合序列省略預(yù)清潔工藝。為了從微機(jī)電系統(tǒng)MEMS結(jié)構(gòu)的器件晶片的一個(gè)或多個(gè)表面去除氧化物，相對(duì)于在進(jìn)行預(yù)清潔工藝時(shí)酸基刻蝕工藝的持續(xù)時(shí)間，可增加共晶接合序列中的酸基刻蝕工藝的持續(xù)時(shí)間。酸基刻蝕工藝的持續(xù)時(shí)間增加使得酸基刻蝕工藝能夠在不使用前述預(yù)清潔工藝的情況下從器件晶片的一個(gè)或多個(gè)表面去除氧化物。這降低共晶接合序列的復(fù)雜度和循環(huán)時(shí)間，降低微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的懸置機(jī)械組件之間粘附的風(fēng)險(xiǎn)，和或降低微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)在制造期間可能變得有缺陷或不可操作的可能性，這增加工藝產(chǎn)量。

本發(fā)明授權(quán)形成微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種形成微機(jī)電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的方法，包括： 從第一晶片去除光刻膠層后，使用酸性刻蝕劑刻蝕所述第一晶片一持續(xù)時(shí)間以從所述第一晶片的一個(gè)或多個(gè)部分的表面上去除原生氧化物， 其中所述持續(xù)時(shí)間在大約20秒到大約30秒范圍內(nèi)， 其中所述酸性刻蝕劑包含以下中的至少一種：硝酸，乙酸，或磷酸， 其中在沒(méi)有在從所述第一晶片去除所述光刻膠層與使用所述酸性刻蝕劑刻蝕所述第一晶片之間的介入預(yù)清潔工藝的情況下，刻蝕所述第一晶片所述持續(xù)時(shí)間使得能夠從所述第一晶片的所述一個(gè)或多個(gè)部分的所述表面上去除所述原生氧化物；以及 在刻蝕所述第一晶片之后進(jìn)行所述第一晶片和第二晶片的共晶接合。

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