東曹株式會社;公益財團法人相模中央化學研究所杉本俊獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東曹株式會社;公益財團法人相模中央化學研究所申請的專利氧化硅膜、阻氣膜用材料及氧化硅膜的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113785085B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080019987.5，技術領域涉及：C23C16/42；該發明授權氧化硅膜、阻氣膜用材料及氧化硅膜的制造方法是由杉本俊;千葉洋一;田中陵二;布川真理奈設計研發完成，并于2020-04-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本氧化硅膜、阻氣膜用材料及氧化硅膜的制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供即使是薄膜也顯示出高阻氣性能的氧化硅膜。該氧化硅膜滿足下述1及2的要件：1膜厚500nm以下時的水蒸氣透過率WVTR為9.0×10?3gm2·天以下。2通過X射線光電子能譜法XPS測定的膜中碳濃度為3.0atom％以下。
本發明授權氧化硅膜、阻氣膜用材料及氧化硅膜的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種層疊膜，其由氧化硅膜和基板形成，所述氧化硅膜滿足下述1及2的要件： 1膜厚500nm以下時的水蒸氣透過率WVTR為1.0×10-6～9.0×10-4gm2·天； 2通過X射線光電子能譜法XPS測定的膜中碳濃度為1.5atom％以下， 所述氧化硅膜是在成膜壓力0.01Pa以上且小于20Pa、在高頻電源的功率為100W以上的條件下通過等離子體增強化學氣相沉積法將下述阻氣膜用材料成膜而得到的，所述阻氣膜用材料為選自下述中的任意材料： 三甲氧基異丙基硅烷、叔丁基三甲氧基硅烷、叔丁基三乙氧基硅烷、1,2-二甲基丙基三甲氧基硅烷。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東曹株式會社;公益財團法人相模中央化學研究所，其通訊地址為：日本山口縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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