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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣州致遠(yuǎn)電子有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利電源防反接電路和電源電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110890749B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：201911348174.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02H11/00；該發(fā)明授權(quán)電源防反接電路和電源電路是由周立功;榮加輝;楊程設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-12-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本電源防反接電路和電源電路在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種電源防反接電路和電源電路。電源防反接電路中，開(kāi)關(guān)模塊利用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管與P型MOS管搭配，可根據(jù)接地端的電平高低，關(guān)斷或?qū)≒型MOS管。在電源接入短路時(shí)，P型MOS管在主干路切斷回路，從而保護(hù)外圍電路的元器件。運(yùn)用于電源充放電場(chǎng)合時(shí)，若電源正確接入，則可利用P型MOS管的低導(dǎo)通阻抗，實(shí)現(xiàn)大電流充放電而產(chǎn)生較小熱升；若電源非正確接入，則主干路P型MOS管關(guān)斷，電流回路斷開(kāi)，保護(hù)電源及外圍電路。即，本申請(qǐng)實(shí)施例可用于單向防反接和雙向防反接，具備通用性；同時(shí)，電路的功能強(qiáng)大，無(wú)需輔助電源，成本低廉，能夠保護(hù)電源和外圍電路不受損壞，具有高可靠性。

本發(fā)明授權(quán)電源防反接電路和電源電路在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種電源防反接電路，其特征在于，包括： P型MOS管；所述P型MOS管的漏極用于連接直流電源的第一電極，所述P型MOS管的源極用于連接電壓傳輸端口； 接地端，用于連接所述直流電源的第二電極； 開(kāi)關(guān)模塊，包括第一開(kāi)關(guān)管和第二開(kāi)關(guān)管；所述第一開(kāi)關(guān)管的第一極連接所述P型MOS管的柵極，且通過(guò)第一電阻連接所述P型MOS管的源極；所述第一開(kāi)關(guān)管的第二極連接所述接地端；所述第二開(kāi)關(guān)管的第一極連接所述第一開(kāi)關(guān)管的控制極，且通過(guò)第二電阻連接所述P型MOS管的源極；所述第二開(kāi)關(guān)管的第二極用于連接所述直流電源的第一電極；所述第二開(kāi)關(guān)管的控制極連接所述接地端；所述第二開(kāi)關(guān)管根據(jù)所述接地端的電平導(dǎo)通或截?cái)啵龅谝婚_(kāi)關(guān)管根據(jù)所述第二開(kāi)關(guān)管的狀態(tài)導(dǎo)通或截?cái)啵愿淖兯鯬型MOS管的柵源電壓大小，使所述P型MOS管導(dǎo)通或截?cái)啵?所述開(kāi)關(guān)模塊在所述接地端的電平大于0V時(shí)，關(guān)斷所述P型MOS管。

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