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龍圖騰網(wǎng)獲悉英特爾公司申請的專利用于高級集成電路結(jié)構(gòu)制造的有源柵極上方接觸結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN109860187B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201811297815.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/85；該發(fā)明授權(quán)用于高級集成電路結(jié)構(gòu)制造的有源柵極上方接觸結(jié)構(gòu)是由A·W·楊;T·加尼;A·馬德哈范;M·L·哈藤多夫;C·P·奧特設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-10-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于高級集成電路結(jié)構(gòu)制造的有源柵極上方接觸結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本公開的實施例屬于高級集成電路結(jié)構(gòu)制造的領(lǐng)域，并且具體而言屬于10納米節(jié)點和更小的集成電路結(jié)構(gòu)制造和所得結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域。在示例中，一種集成電路結(jié)構(gòu)包括鰭狀物之上的第一和第二柵極電介質(zhì)層。第一和第二柵極電極分別在第一和第二柵極電介質(zhì)層之上，第一和第二柵極電極都具有帶頂表面的絕緣帽。第一電介質(zhì)間隔體與第一柵極電極的第一側(cè)相鄰。溝槽接觸結(jié)構(gòu)在與第一和第二電介質(zhì)間隔體相鄰的半導(dǎo)體源極或漏極區(qū)之上，溝槽接觸結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的絕緣帽，溝槽接觸結(jié)構(gòu)的絕緣帽具有與第一和第二柵極電極的絕緣帽大體上共面的頂表面。

本發(fā)明授權(quán)用于高級集成電路結(jié)構(gòu)制造的有源柵極上方接觸結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括： 包括硅的鰭狀物，所述鰭狀物具有頂部和側(cè)壁； 在所述鰭狀物的頂部之上并與所述鰭狀物的側(cè)壁橫向相鄰的第一柵極電介質(zhì)層和第二柵極電介質(zhì)層； 第一柵極電極和第二柵極電極，分別在處于所述鰭狀物的頂部之上并與所述鰭狀物的側(cè)壁橫向相鄰的所述第一柵極電介質(zhì)層和所述第二柵極電介質(zhì)層之上，所述第一柵極電極和所述第二柵極電極都具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)，并且都具有絕緣帽，所述絕緣帽具有頂表面； 與所述第一柵極電極的第一側(cè)相鄰的第一電介質(zhì)間隔體； 與所述第二柵極電極的第二側(cè)相鄰的第二電介質(zhì)間隔體； 與所述第一電介質(zhì)間隔體和所述第二電介質(zhì)間隔體相鄰的半導(dǎo)體源極或漏極區(qū)； 在與所述第一電介質(zhì)間隔體和所述第二電介質(zhì)間隔體相鄰的所述半導(dǎo)體源極或漏極區(qū)之上的溝槽接觸結(jié)構(gòu)，所述溝槽接觸結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的絕緣帽，所述溝槽接觸結(jié)構(gòu)的絕緣帽具有與所述第一柵極電極和所述第二柵極電極的絕緣帽共面的頂表面，并且所述溝槽接觸結(jié)構(gòu)的絕緣帽橫向延伸到所述第一電介質(zhì)間隔體和所述第二電介質(zhì)間隔體中的凹陷中并懸置于所述溝槽接觸結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上方。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。