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龍圖騰網(wǎng)獲悉HOYA株式會社申請的專利掩模坯料、轉(zhuǎn)印用掩模及半導體器件的制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115933308B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310002958.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F1/54；該發(fā)明授權(quán)掩模坯料、轉(zhuǎn)印用掩模及半導體器件的制造方法是由谷口和丈;宍戶博明設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-02-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本掩模坯料、轉(zhuǎn)印用掩模及半導體器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種掩模坯料100，利用由氮化硅系材料形成的單層膜構(gòu)成的遮光膜2具有對于ArF曝光用光的較高的遮光性能，并且能夠降低遮光膜的圖案的EMF偏差。掩模坯料在透光性基板1上具備遮光膜。遮光膜對于ArF曝光用光的光學濃度為3.0以上。遮光膜對于ArF曝光用光的折射率n及衰減系數(shù)k同時滿足以下的式1、式2和式3所限定的關(guān)系，n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式1，n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式2，n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式3。

本發(fā)明授權(quán)掩模坯料、轉(zhuǎn)印用掩模及半導體器件的制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種掩模坯料，在透光性基板上具備遮光膜，其特征在于， 所述遮光膜是利用由硅和氮構(gòu)成的材料形成的單層膜，或者是利用由選自半金屬元素及非金屬元素中的一種以上的元素、硅及氮構(gòu)成的材料形成的單層膜， 所述遮光膜對于ArF準分子激光的曝光用光的光學濃度為3.0以上， 所述遮光膜的衰減系數(shù)k為2.6以下， 所述遮光膜的折射率n為0.8以上， 所述遮光膜對于所述曝光用光的折射率n及衰減系數(shù)k同時滿足以下的式1、式2和式3所限定的關(guān)系， n≦0.0733×k2+0.4069×k+1.0083···式1， n≧0.0637×k2－0.1096×k+0.9585···式2， n≧0.7929×k2－2.1606×k+2.1448···式3。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人HOYA株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。