首爾偉傲世有限公司樸柱勇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉首爾偉傲世有限公司申請的專利紫外線發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117215B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210615085.9，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權紫外線發光二極管是由樸柱勇;張成逵;李圭浩;李俊熙設計研發完成，并于2017-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本紫外線發光二極管在說明書摘要公布了：本發明提供一種紫外線發光二極管。根據一實施例的紫外線發光二極管包括：基板；n型半導體層，位于基板上；臺面，布置于n型半導體層上，并包含活性層及p型半導體層；n歐姆接觸層，接觸于n型半導體層；p歐姆接觸層，接觸于p型半導體層；n凸塊，電連接于n歐姆接觸層；以及p凸塊，電連接于p歐姆接觸層，其中，臺面包括多個分支，n歐姆接觸層包圍臺面并夾設于分支之間的區域，n歐姆接觸層與臺面之間的隔開距離恒定，暴露于分支之間的n型半導體層的最小寬度大于或等于分支的最小寬度，n凸塊及p凸塊分別覆蓋臺面的上部及側表面，p凸塊覆蓋分支中的至少兩個分支。
本發明授權紫外線發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種紫外線發光二極管，所述紫外線發光二極管發出波長為300nm以下的深紫外線，包括： 基板； n型半導體層，位于所述基板上； 臺面，布置于所述n型半導體層上，并包含活性層及p型半導體層； n歐姆接觸層，接觸于所述n型半導體層； p歐姆接觸層，接觸于所述p型半導體層； n凸塊，電連接于所述n歐姆接觸層；以及 p凸塊，電連接于所述p歐姆接觸層， 其中，所述臺面包括主分支以及從所述主分支延伸的多個子分支， 所述主分支具有比所述多個子分支寬的寬度， 所述n凸塊以及p凸塊分別覆蓋所述臺面的上部以及側表面，以從所述臺面的側表面反射紫外線， 在所述n歐姆接觸層與所述臺面的隔開的間隔布置有所述n凸塊及p凸塊，從而從所述臺面的側表面反射向所述n歐姆接觸層行進的紫外線。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人首爾偉傲世有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道安山市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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