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龍圖騰網獲悉北京懷柔實驗室申請的專利MOSFET器件的元胞結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120358784B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510859705.7，技術領域涉及：H10D62/17；該發明授權MOSFET器件的元胞結構是由金銳;李翠;和峰;劉江;李哲洋;崔翔設計研發完成，并于2025-06-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本MOSFET器件的元胞結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種MOSFET器件的元胞結構，元胞結構的元胞區域包括：第一JFET區和第二JFET區，第一JFET區至少位于第二JFET區的兩側；阱區，位于第一JFET區和第二JFET區之間；源區，位于阱區中且環繞第二JFET區，源區和第一JFET區之間的阱區為第一部分阱區，源區與第二JFET區之間的阱區為第二部分阱區；阱接觸區，位于部分第二部分阱區中，使剩余的第二部分阱區中具有分別與源區和第二JFET區鄰接的溝道區；第二柵極結構，覆蓋部分溝道區以及與部分溝道區分別鄰接的部分源區和部分第二JFET區。本申請解決了現有MOSFET的體二極管作為續流通路時反向續流開啟電壓大、反向恢復損耗高的問題。

本發明授權MOSFET器件的元胞結構在權利要求書中公布了：1.一種MOSFET器件的元胞結構，其特征在于，所述元胞結構包括襯底以及位于所述襯底一側的外延層和元胞區域，所述元胞區域位于所述外延層中，所述元胞區域包括： 第一JFET區和第二JFET區，所述第一JFET區至少位于所述第二JFET區的兩側； 阱區，位于所述第一JFET區和所述第二JFET區之間，所述阱區與所述外延層的導電類型相反； 源區，位于所述阱區中且環繞所述第二JFET區，所述源區和所述第一JFET區之間的所述阱區為第一部分阱區，所述源區與所述第二JFET區之間的所述阱區為第二部分阱區； 阱接觸區，位于部分所述第二部分阱區中，使剩余的所述第二部分阱區中具有分別與所述源區和所述第二JFET區鄰接的溝道區，所述阱接觸區和所述阱區的摻雜類型相同，所述阱接觸區的摻雜濃度高于所述阱區的摻雜濃度； 柵極結構，包括鄰接的第一柵極結構和第二柵極結構，所述第一柵極結構覆蓋所述第一部分阱區以及與所述第一部分阱區分別鄰接的部分所述源區和至少部分所述第一JFET區，所述第二柵極結構覆蓋部分所述溝道區以及與部分所述溝道區分別鄰接的部分所述源區和部分所述第二JFET區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。