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龍圖騰網獲悉電子科技大學長三角研究院(湖州)申請的專利一種新型納米墻NWaFET的制作及其驗證方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115206805B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210608161.3，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種新型納米墻NWaFET的制作及其驗證方法是由廖永波;馮珂;劉仰猛;劉玉婷;徐璐;路遠;黃樂天設計研發完成，并于2022-05-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種新型納米墻NWaFET的制作及其驗證方法在說明書摘要公布了：本發明專利涉及集成電路技術領域，尤其指一種新型納米墻NWaFET的制作及其驗證方法。制作方法包括以下步驟：S1外延生長：首先在P型襯底上通過外延生長技術依次生長出具有一定厚度的外延層；S2刻蝕：將外延層多余的部分刻蝕除去；S3熱氧化：通過熱氧化工藝，生長SiO2；S4離子注入：在本征硅注入層上，通過離子注入工藝進行摻雜；S5再刻蝕：進一步刻蝕環形槽和矩形槽；S6淀積金屬；驗證方法包括以下步驟：S7版圖設計與流片:設計相應寬長比的器件，并進行抽樣測試；S8封裝：對所設計的帶有抗輻照結構器件的芯片進行PCB封裝；S9輻照：將器件進行輻照測試。該方法可以有效抑制閾值電壓Vth的漂移和關斷電流Ioff的增加，提高抗TID效應能力。

本發明授權一種新型納米墻NWaFET的制作及其驗證方法在權利要求書中公布了：1.一種新型納米墻NWaFET的制作方法，其特征在于，所述的制作方法包括以下步驟： S1外延生長：首先在P型襯底（1）上通過外延生長技術依次生長出具有一定厚度的外延層（2），所述外延層（2）從下往上依次為N+外延層（3）和N-外延層（4）、P+外延層（5）、本征硅層（6）； S2刻蝕：將所述外延層（2）多余的部分刻蝕除去，余下部分作為N-漏區（7）、溝道P+區（8）、本征硅注入層（9）； S3熱氧化：刻蝕的部分通過熱氧化工藝，生長SiO2層（17）； S4離子注入：在本征硅注入層（9）上，通過離子注入工藝形成N-源區（10），所述N-源區（10）中再通過離子注入形成N+源區（11）和溝道P+區的摻雜； S5再刻蝕：進一步刻蝕得到環形槽（12）和矩形槽（13）； S6淀積金屬：在所述環形槽（12）和所述矩形槽（13）內淀積金屬。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學長三角研究院(湖州)，其通訊地址為：313000 浙江省湖州市西塞山路819號南太湖科技創新綜合體B2幢8層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。