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龍圖騰網獲悉安徽大學申請的專利一種基于8T-SRAM單元的電路結構、芯片和模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115035931B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210564062.X，技術領域涉及：G11C11/418；該發明授權一種基于8T-SRAM單元的電路結構、芯片和模塊是由戴成虎;劉海濤;彭春雨;趙強;盧文娟;郝禮才;劉立;藺智挺;吳秀龍;黎軒;高珊設計研發完成，并于2022-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于8T-SRAM單元的電路結構、芯片和模塊在說明書摘要公布了：本發明涉及一種基于8T?SRAM單元的電路結構、芯片和模塊。8T?SRAM單元包括：NMOS晶體管N1～6；PMOS晶體管P1～2。P1、P2和N1、N2交叉耦合，對存儲節點Q、QB的數據進行鎖存，P1的源極與P2源極電連接到VDD，開啟存儲節點Q、QB節點對電源通路，N1的源極與N2的源極連接到VSS，開啟存儲節點Q、QB節點對地通路。存儲節點Q與QB通過晶體管N4、N3分別與位線BL和BLB相連，晶體管N3、N4由字線WL控制，字線LCM、RCM通過晶體管N5、N6分別與位線SLB和SL相連，晶體管N5、N6分別由存儲節點Q與QB控制。本發明能實現在存儲器內部完成比較操作，提高搜索效率。

本發明授權一種基于8T-SRAM單元的電路結構、芯片和模塊在權利要求書中公布了：1.一種8T-SRAM單元，其特征在于，其包括： NMOS晶體管N1； NMOS晶體管N2，N2的柵極與N1的漏極電連接，N2的源極與N1的源極電連接，N2的漏極與N1的柵極電連接； NMOS晶體管N3，N3的漏極與N1的漏極、N2的柵極電連接，N3的柵極與字線WL電連接，N3的源極與位線BLB電連接； NMOS晶體管N4，N4的漏極與N2的漏極、N1的柵極電連接，N4的柵極與字線WL電連接，N4的源極與位線BL電連接； NMOS晶體管N5，N5的柵極與N4的漏極、N2的漏極、N1的柵極電連接，N5的源極與位線SLB電連接，N5的漏極與字線LCM電連接； NMOS晶體管N6，N6的柵極與N3的漏極、N1的漏極、N2的柵極電連接，N6的源極與位線SL電連接，N6的漏極與字線RCM電連接； PMOS晶體管P1，P1的柵極與N1的柵極、N4的漏極、N5的柵極電連接，P1的漏極與N1的漏極，N3的漏極，N6的柵極、N2的柵極電連接，P1的源極與P2的源極電連接； PMOS晶體管P2，P2的柵極與N2的柵極、N3的漏極、N6的柵極電連接，P2的漏極與N2的漏極，N4的漏極，N5的柵極、N1的柵極電連接，P2的源極與P1的源極電連接； 晶體管P1、P2和晶體管N1、N2交叉耦合連接，對存儲節點Q、QB的數據進行鎖存，晶體管P1的源極與P2源極電連接到VDD，開啟存儲節點Q、QB節點對電源通路，晶體管N1的源極與N2的源極連接到VSS，開啟存儲節點Q、QB節點對地通路； 存儲節點Q與QB通過晶體管N4、N3分別與位線BL和BLB相連，晶體管N3、N4由字線WL控制，字線LCM、RCM通過晶體管N5、N6分別與位線SLB和SL相連，晶體管N5、N6分別由存儲節點Q與QB控制。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽大學，其通訊地址為：230022 安徽省合肥市蜀山區肥西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。