華中科技大學高亮獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種光電探測器及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114899329B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210481430.4，技術領域涉及：H10K71/00；該發明授權一種光電探測器及其制作方法是由高亮;楊駿睿;魯帥成;唐江設計研發完成，并于2022-05-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種光電探測器及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種光電探測器及其制作方法，包括：在ITO玻璃襯底上制備膠體量子點薄膜；將制備好的膠體量子點薄膜倒扣于基底上，然后在背離膠體量子點薄膜的ITO玻璃襯底上施加設定的壓力；通過加熱裝置對膠體量子點薄膜進行預設時長的均勻加溫，以減小膠體量子點間間距。在本申請中，通過熱壓法，減小硫化鉛膠體量子點間間距，可以提高遷移率，進而降低響應時間，提高響應速率，提高光電探測器的性能。
本發明授權一種光電探測器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種光電探測器的制作方法，其特征在于，包括： 在ITO玻璃襯底上，形成電子傳輸層； 在所述電子傳輸層上旋涂PbS量子點溶液，并進行固化處理，以制備PbS膠體量子點薄膜； 將制備好的PbS膠體量子點薄膜倒扣于基底上，然后在背離PbS膠體量子點薄膜的ITO玻璃襯底上施加設定的壓力，同時通過加熱裝置對PbS膠體量子點薄膜進行預設時長的均勻加溫，以減小PbS膠體量子點間間距； 在經過加壓和溫度處理的PbS膠體量子點薄膜上旋涂PbS-EDT得到空穴傳輸層； 在空穴傳輸層上蒸鍍電極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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