天合光能股份有限公司王子港獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉天合光能股份有限公司申請的專利一種太陽能電池及其制備方法及應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551609B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111662821.8，技術領域涉及：H10F77/20；該發明授權一種太陽能電池及其制備方法及應用是由王子港;張學玲;馮志強;陳奕峰設計研發完成，并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種太陽能電池及其制備方法及應用在說明書摘要公布了：本發明提供一種太陽能電池及其制備方法及應用。所述太陽能電池包括N型硅片層，所述N型硅片層正面依次層疊硼結層、氧化鋁層和第一氮化硅層，所述N型硅片層背面依次層疊氧化硅層、Poly?Si層和第二氮化硅層；第一柵線貫通所述第一氮化硅層、氧化鋁層和硼結層與所述N型硅片層的正表面接觸，所述第一柵線包括依次層疊的第一種子層和第一金屬層；第二柵線貫通所述氧化硅層、Poly?Si層和第二氮化硅層與所述N型硅片層的負表面接觸，所述第二柵線包括依次層疊的第二種子層和第二金屬層。本發明的制備方法可以有效的提升柵線與硅片的結合力，滿足組件的拉脫力及可靠性要求。
本發明授權一種太陽能電池及其制備方法及應用在權利要求書中公布了：1.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池包括N型硅片層，所述N型硅片層正面依次層疊硼結層、氧化鋁層和第一氮化硅層，所述N型硅片層背面依次層疊氧化硅層、Poly-Si層和第二氮化硅層； 第一柵線貫通所述第一氮化硅層、氧化鋁層和硼結層與所述N型硅片層的正表面接觸，所述第一柵線包括依次層疊的第一種子層和第一金屬層；所述第一種子層包括第一金屬鉑層；所述第一種子層和所述N型硅片層的正表面接觸； 第二柵線貫通所述氧化硅層、Poly-Si層和第二氮化硅層與所述N型硅片層的負表面接觸，所述第二柵線包括依次層疊的第二種子層和第二金屬層；所述第二種子層包括第二金屬鉑層；所述第二種子層和所述N型硅片層的負表面接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天合光能股份有限公司，其通訊地址為：213031 江蘇省常州市新北區天合光伏產業園天合路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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