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本發(fā)明授權(quán)一種基于電場(chǎng)作用修正硅基材料晶格缺陷的方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種基于電場(chǎng)作用修正硅基材料晶格缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟： 將硅基材料進(jìn)行清洗處理； 將所述清洗處理后的硅基材料采用濕法刻蝕方法進(jìn)行刻蝕處理； 將所述刻蝕處理后的硅基材料先進(jìn)行預(yù)熱處理，所述預(yù)熱處理的溫度為900~1300℃，之后在高溫狀態(tài)下施加直流電場(chǎng)進(jìn)行晶格缺陷的修正。

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